纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现  

Realization of Nanoelectronic Devices-Resonant Tunneling Diodes Grown on InP Substrates with High Peak to Valley Current Ratio

作　　者：张杨[1] 曾一平[1] 马龙[1] 王保强[1] 朱战平[1] 王良臣[1] 杨富华[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期41-43,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰值电流密度接近3kA/cm2,峰和谷的电流密度比率达到19.

关 键 词：共振隧穿二极管 INP基 分子束外延 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]