RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成  

Monolithic Integration of Resonant Tunneling Diodes and High Electron Mobility Transistors on InP Substrates

作　　者：马龙[1] 张杨[1] 戴扬[1] 杨富华[1] 曾一平[1] 王良臣[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期414-417,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA302750)

摘　　要：在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19.8GHz,最大跨导为237mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.

关 键 词：共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 磷化铟 单片集成 

分 类 号：T313+.2[一般工业技术]