高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法  

Fabrication of a High Quality Etching Mask for Two-Dimensional Photonic Crystal Structures

作　　者：杜伟[1] 许兴胜[1] 韩伟华[2] 王春霞[1] 张杨[2] 杨富华[2] 陈弘达[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第9期1640-1644,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60345008;60377011;60537010)~~

摘　　要：结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.The influence of different fabrication parameters on polymethyl methacrylate （PMMA） etching mask for twodimensional photonic crystal structures are studied. The results show that high quality PMMA etching mask can be realized by optimizing parameters such as PMMA thickness,electron beam exposure dose, developing time,and fixation time.

关 键 词：光子晶体 电子束曝光 PMMA掩膜 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]