Fabrication of Silicon Crystal-Facet-Dependent Nanostructures by Electron-Beam Lithography  

利用电子束光刻制备晶面依赖的硅纳米结构(英文)

作　　者：杨香[1] 韩伟华[1] 王颖[1] 张杨[1] 杨富华[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京10083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第6期1057-1061,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60506017,60776059);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z303)资助项目~~

摘　　要：Silicon crystal-facet-dependent nanostructures have been successfully fabricated on a （100）-oriented silicon-oninsulator wafer using electron-beam lithography and the silicon anisotropic wet etching technique. This technique takes advantage of the large difference in etching properties for different crystallographic planes in alkaline solution. The minimum size of the trapezoidal top for those Si nanostructures can be reduced to less than 10nm. Scanning electron microscopy （SEM） and atomic force microscopy （AFM） observations indicate that the etched nanostructures have controllable shapes and smooth surfaces.利用电子束光刻和各向异性湿法腐蚀技术,在(100)SOI衬底上成功地制备出晶面依赖的硅纳米结构.这项技术利用了硅的不同晶面在碱性腐蚀溶液中具有不同腐蚀速率的特性.纳米结构脊部宽度的最小尺寸可以达到10nm以下.扫描电镜和原子力显微镜的观察表明,利用这种方法制备出来的纳米结构具有很好的重复性,而且表面光滑.

关 键 词：silicon nanostructure anisotropic wet etching electron-beam lithography 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]