高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析  

Fabrication and Device Simulation of High Performance InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes on InP Substrates

作　　者：马龙[1] 张杨[1] 戴扬[1] 杨富华[1] 曾一平[1] 王良臣[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第4期563-566,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA302750)~~

摘　　要：在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.Resonant tunneling diodes （RTDs） with different barrier thicknesses were grown by molecular beam epitaxy （MBE） on semi-insulating InP substrates. The highest peak-to-valley current ratio is 18.39 at room temperature. The relationship between RTD direct current characteristics with barrier thickness,well and sub-well thickness,spacer thickness, and doping density are analyzed and discussed.

关 键 词：共振隧穿二极管 峰-谷电流比 电流-电压特性 器件模拟 

分 类 号：TN312.2[电子电信—物理电子学]