平面型共振隧穿二极管的制作(英文)  

Fabrication of Planar Resonant Tunneling Diodes

作　　者：胡留长[1] 郭维廉[1] 张世林[1] 梁惠来[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《纳米技术与精密工程》2007年第3期197-199,共3页Nanotechnology and Precision Engineering

摘　　要：采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点,并且表现出良好的I-V特性,峰谷电流比为3.4.通过该方法制作的RTD将更有利于RTD的平面集成.A new type of planar resonant tunneling diode（RTD） was fabricated by ion implantation. The devices were isolated by ion implantation so that many shortcomings caused in conventional mesa-etched RTD were avoided. The planar RTD shows good I-V propeties, and the peak-valley current ratio（PVCR） reaches 3.4. This method plays an important role in planar integration for RTD.

关 键 词：共振隧穿二极管 离子注入 峰谷电流比 

分 类 号：TN311[电子电信—物理电子学]