高金环

作品数：24被引量：44H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：加速寿命试验可靠性半导体器件共振隧穿二极管失效率更多>>
发文领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微处理机》《半导体技术》《信息技术与标准化》《环境技术》更多>>
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高功率微波下GaAs PIN限幅器的损伤机理分析被引量：1
《环境技术》2019年第3期6-8,共3页高金环 黄杰 席善斌 
GaAs PIN限幅器是置于通信接收前端抗电磁扰动的重要部件。本文对经受高功率微波后GaAs PIN限幅器损伤形貌的观察,结合其损伤机理分析,揭示了PIN二极管易于损伤的位置以及造成界面损伤的机理,对于GaAs PIN限幅器设计和工艺改进具有一定...
关键词：限幅器 PIN界面 高功率微波 损伤形貌 失效机理 
GaAs微波小功率晶体管加速退化试验数据分析
《环境技术》2019年第3期9-11,25,共4页高金环 迟雷 陈龙坡 
本文以GaAs 微波小功率晶体管为研究对象,分别开展不同温度应力的直流稳态、射频动态加速退化试验。通过分析不同温度应力下同种类型加速退化试验结果,揭示GaAs 微波小功率晶体管的退化失效时间与开尔文温度的倒数呈指数变化规律;通过...
关键词：饱和漏电流 加速退化试验 直流静态 射频动态 失效率 
军用标准PIND试验方法发展与对比分析被引量：5
《半导体技术》2019年第4期313-320,共8页席善斌 高金环 裴选 尹丽晶 高东阳 彭浩 
封装腔体内部的可动粒子会引起半导体器件和电路的短路或间歇性功能失效,从而对其使用可靠性产生影响。粒子碰撞噪声检测(PIND)试验可有效剔除腔体内部含有可动粒子的器件,从而被纳入多项标准中作为一项无损筛选试验并得到广泛的应用。...
关键词：粒子碰撞噪声检测(PIND) 筛选试验 可动粒子 振动频率 军用标准 
基于工艺的GaN HEMT抗辐射加固研究进展被引量：2
《微处理机》2019年第2期1-6,共6页席善斌 高金环 裴选 高东阳 尹丽晶 彭浩 
GaN HEMT由于其具有高频、高温、大功率、抗辐射等特性,在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中具有广阔的应用前景。虽然GaN HEMT较Si基半导体器件具有优越的抗辐射特性,但距GaN材料本身的抗辐射能力和水平仍存在较大差距,GaN HEMT制...
关键词：GAN HEMT技术 抗辐射加固 有源区隔离工艺 沟道层厚度 钝化层结构 衬底材料 
微波模块氢效应研究综述
《信息技术与标准化》2018年第8期61-64,共4页沈彤茜 高金环 黄杰 彭浩 
氢引起微波芯片性能退化,降低沟道载流子的浓度,改变金属栅与半导体接触的肖特基势垒,密封腔内氢反应生成水,氢致裂纹,金属被氢化;通过优化芯片设计、优化工艺材料和增加除氢工序,可有效降低微波模块内部的氢含量。
关键词：氢效应 失效机理 除氢工序 
微波元器件抽样方案对比研究被引量：1
《环境技术》2018年第1期60-64,共5页沈彤茜 高金环 黄杰 彭浩 
抽样检验广泛存在于微波元器件的进货检验、过程检验、出厂检验中。本文概述了固定样本量抽样、LTPD抽样和AQL抽样三种常用的抽样方法及其应用,并基于OC曲线分析三种抽样方法的特点,对比首次检验和重新提交的抽样方案的变化并绘制OC曲...
关键词：固定样本量抽样 LTPD抽样 AQL抽样 重新提交 
PIN限幅器高功率微波损伤效应及失效分析
《环境技术》2016年第1期25-28,共4页席善斌 裴选 高金环 高兆丰 黄杰 
以国产PIN限幅器为研究对象，分析了器件的工艺结构，开展了高功率微波注入效应研究，并对失效器件进行了失效分析。试验结果表明高功率微波注入会导致器件插入损耗超差而失效，限幅器输入端电容击穿短路丧失保护作用，PIN二极管结受损...
关键词：高功率微波 PIN二极管 失效分析 FIB 
金迁移诱致谐波混频器失效分析研究被引量：3
《环境技术》2015年第6期43-46,共4页席善斌 高金环 裴选 高兆丰 黄杰 
对用于某下变频器模块中的HMC264型谐波混频器开展了失效分析研究。结果表明,混频器增益下降、电流增大是由于混频器芯片表面产生金迁移并将相邻金属化条跨接所致。混频器芯片表面产生金属迁移是因为芯片表面有液体聚集现象存在,加电使...
关键词：金迁移 谐波混频器 失效分析 电子风力 
LED光源寿命评估方法探讨被引量：4
《半导体技术》2013年第12期946-948,共3页高金环 张磊 高兆丰 黄杰 徐立生 
简要介绍了北美体系(IES)和国际电工协会(IEC)体系中LED光源流明维持寿命评估标准的发展和现状。基于半导体产品可靠性相关知识,对美国照明工程学会2011年发布的IES TM-21-11 LED光源流明维持寿命的推算方法中的数据选用和数据处理方法...
关键词：ED光源 流明维持寿命 流明退化率 阿列尼斯方程 最小二乘曲线拟合 点估计 区间估计 
S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验
《半导体技术》2012年第4期321-325,共5页童亮 彭浩 高金环 黄杰 
为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根...
关键词：硅微波功率晶体管 加速寿命试验 阿列尼乌斯模型 可靠性 S波段 
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