InP材料体系RTD的研制  

Research on InP-Based Strained In_(0.53)Ga_(0.47)As/AlAs RTD

作　　者：高金环[1] 杨瑞霞[1] 武一宾[2] 贾科进[1] 商耀辉[2] 张磊[1] 杨克武[2] 

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《电子器件》2007年第4期1168-1170,共3页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管(RTD)的研制过程.衬底片选用(001)半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延(MBE)技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器件采用台面结构.测得RTD器件室温下的峰谷电流比(PVCR)为7.4,峰值电流密度(Jp)为1.06×105A/cm-2,是国内首例成功的InP材料体系RTD.An InP substrate material resonant tunneling diode（RTD） device with a basic structure of AlAs / In0. 53Ga0.47As/AlAs DBSW is reported in the article. Material structure was grown on（001）semi-induction InP substrate by molecular beam epitaxy （MBE） and measured by PL Spectrum. Device is fabricated with mesa technology. DC characteristics for RTD measured at room temperature were Peak-to-valley current ratio（PVCR） is 7. 4, and peak current density （Je） is 1.06×10^5A/cm^-2.

关 键 词：共振隧穿二极管 分子束外延 台面结构 INP衬底 PL谱 峰谷电流比 

分 类 号：TN312.2[电子电信—物理电子学]