HEMT器件力电耦合传感特性测试  

Test on electromechanical coupling sensitive property of HEMT device

作　　者：胡宇光[1] 刘俊[1] 王勇[2] 

机构地区：[1]中北大学电子测试技术国家重点实验室,山西太原030051 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《传感器与微系统》2012年第5期145-146,152,共3页Transducer and Microsystem Technologies

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50730009);电子测试国家重点实验室基金资助项目(9140C1204030907)

摘　　要：设计了在Si微结构与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)集成的微机电系统(MEMS)。通过微机械加工工艺,完成了力电耦合传感结构的加工。通过实验测试发现HEMT器件具备很强的力电耦合特性,测试结果在-1.5 V栅压下,HEMT器件对应力的灵敏度为123.96 MPa/mA,线性度为6.95%。A MEMS integrates Si micro-structure with AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor（HEMT）devices is designed.Fabrication of the electromechanical coupling sensitive structure is achieved.The experimental test indicates that the AlGaN/GaN HEMT device has strong electromechanical coupling effect.When grid voltage is-1.5V,the value of sensitivity is up to 123.96 MPa/mA and the value of linearity is 6.95 %.

关 键 词：AlGaN/GaN/Si 高电子迁移率晶体管 力电耦合效应 灵敏度 

分 类 号：O782[理学—晶体学]