S波段88W SiC MESFET推挽放大器研究  

Study on S-Band 88W SiC MESFETs Push-Pull Amplifier

作　　者：默江辉[1,2] 李亦凌[1] 王勇[1,2] 潘宏菽[1,2] 李亮[1,2] 陈昊[1,2] 蔡树军[1,2] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [2]专用集成电路国家级重点实验室,石家庄050051

出　　处：《微波学报》2010年第2期78-80,96,共4页Journal of Microwaves

摘　　要：采用管壳内预匹配及外电路匹配相结合的方法,制作成功S波段高增益、高效率、大功率SiC MESFET推挽放大器。采用预匹配技术提高了器件输入、输出阻抗,优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。放大器在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,频率2GHz,Vds=50V脉冲输出峰值功率为88.7W(49.5dBm),功率增益为8.1dB,峰值功率附加效率为30.4%。A high gain,high efficiency and high power SiC MESFETs amplifier with internal pre-matched and external matched circuits is developed.The input and output impendences are increased by using the pre-matched circuits.The test circuit was optimized to eliminate the effect on the Vgs from the input signal.The amplifier showed a peak output power of 88.7W（49.5dBm）with a large signal gain of 8.1 dB and a power added efficiency of 30.4% at 2GHz,Vds=50V,300μs pulse width and 10% duty cycle.

关 键 词：SIC MESFET 预匹配 推挽放大器 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]