马楠

作品数：7被引量：4H指数：1
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
发文主题：多量子阱红外探测器红外光耦合PL谱更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》《微细加工技术》《功能材料与器件学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市人才强教计划项目更多>>
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多量子阱红外探测材料的光致荧光谱
《功能材料与器件学报》2009年第2期185-188,共4页马楠 邓军 史衍丽 沈光地 
国家973计划(No.2006CB604902);国家自然科学基金(No.60506012);国家863计划(No.2006AA03A121)
在多量子阱红外探测器外延材料制备中,由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感,因此对外延材料的制备有很高的要求。本文中我们利用光致荧光谱(PL)对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算,从而在器件工艺前,快速...
关键词：红外 QWIP 暗电流 光荧光谱 
用PL谱评测多量子阱红外探测器外延材料
《固体电子学研究与进展》2009年第2期302-305,309,共5页马楠 邓军 牟明威 史衍丽 沈光地 
国家973计划(项目编号:2006CB604902);国家自然科学基金(批准号:60506012);国家863计划(批准号:2006AA03A121)
对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料进行了光致荧光谱(PL)测量,结合理论计算,由材料吸收峰位置得到势垒高度以及势阱基态位置,并由此推算出相应的红外探测响应波长。推算结果与器件光电流实验值的对比表明,由光致荧光谱(PL)测量...
关键词：多量子阱 红外 光致荧光谱 
GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料PL谱研究
《半导体光电》2009年第1期55-58,共4页马楠 邓军 牟明威 史衍丽 沈光地 
结合薛定谔方程和泊松方程,模拟计算得到GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料能带图,并对该材料进行光致荧光谱(PL)测量。结合理论计算,由材料吸收峰位置得到势垒高度以及势阱基态位置,采用传输矩阵法得到价带与导带基态能量,并由此...
关键词：多量子阱 红外 光致荧光谱 
传输矩阵法在多量子阱红外探测器结构设计中的应用被引量：1
《半导体光电》2008年第6期862-865,共4页马楠 邓军 牟明威 史衍丽 沈光地 
国家“973”计划项目(2006CB604902);国家自然科学基金项目(60506012);国家“863”计划(2006AA03A121)
采用传输矩阵法对多量子阱结构导带子能级位置进行理论计算,确定其量子阱宽度、势垒高度等物理参数。用MBE设备进行GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器结构材料的生长。利用傅里叶变换红外光谱仪对所制作的器件进行了光谱测量,不同外延材料...
关键词：多量子阱 红外探测器 模型计算 传输矩阵法 
隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布被引量：1
《功能材料与器件学报》2008年第4期815-820,共6页张蕾 崔碧峰 段天利 马楠 郭伟玲 王智群 沈光地 
国家重点基础研究发展计划资助(批准号:2006CB604902);国家"863"计划(批准号:2004AA311030);十五国家科技攻关项目(批准号:2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市科委重点项目(批准号:D0404003040221);北京市教委项目(批准号:kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504)
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布。瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很...
关键词：半导体激光器 三维温度分布 瞬态 稳态 隧道再生 
多量子阱红外探测器衬底减薄工艺研究被引量：1
《半导体光电》2008年第4期528-530,534,共4页马楠 邓军 史衍丽 崔碧峰 李晓波 张蕾 沈光地 
国家“973”计划项目(2006CB604902)
GaAs衬底减薄是制作GaAs基多量子阱焦平面红外探测阵列器件工艺中重要的一步,对器件的性能有重要的影响。采用手工和机器减薄抛光相结合的方法,成功地将器件厚度从625μm降为29±2μm。在77 K下,得到了器件的光响应,并对实验结果进行了...
关键词：多量子阱 红外 衬底减薄 光耦合 
多量子阱红外探测器垂直光耦合研究被引量：1
《微细加工技术》2008年第3期10-12,64,共4页马楠 邓军 牟明威 史衍丽 崔碧峰 张蕾 沈光地 
国家973计划资助项目(2006CB604902);国家自然科学基金资助项目(60506012);国家863计划资助项目(2006AA03A121)
对多量子阱红外探测器制作中GaAs衬底减薄工艺程序进行了研究与讨论。通过将器件压焊封装进杜瓦瓶中,测量其室温和低温条件下I-V特性,以及在低温条件下的器件信噪比,并以傅里叶变换红外光谱仪对器件进行光谱测量,得到光电流谱,从而比较...
关键词：多量子阱 红外 衬底减薄 光耦合 
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