传输矩阵法在多量子阱红外探测器结构设计中的应用  

Applications of Transfer Matrix in Multiple Quantum-well Infrared Photodetectors Design

作　　者：马楠[1] 邓军[1] 牟明威[2] 史衍丽[3] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学光电子实验室,北京100022 [2]吉林大学,吉林长春130012 [3]昆明物理研究所,云南昆明650223

出　　处：《半导体光电》2008年第6期862-865,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家“973”计划项目(2006CB604902);国家自然科学基金项目(60506012);国家“863”计划(2006AA03A121)

摘　　要：采用传输矩阵法对多量子阱结构导带子能级位置进行理论计算,确定其量子阱宽度、势垒高度等物理参数。用MBE设备进行GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器结构材料的生长。利用傅里叶变换红外光谱仪对所制作的器件进行了光谱测量,不同外延材料的对比实验结果表明,器件的峰值响应波长与理论计算结果吻合较好;由传输矩阵法计算确定的多量子阱导带子能级位置而推算得到的响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性。A quantum mechanical model for simulation of electron transport in QWIPs was established with transfer matrix method （TMM）, in order to indentify the parameters such as the well width, height of the barrier, etc. The GaAs/AlGaAs were grown on the semi-insulating GaAs substrate by molecular beam epitaxy（MBE）. The device was measured by FTIR. The experiment results showed a good agreement with calculations.

关 键 词：多量子阱 红外探测器 模型计算 传输矩阵法 

分 类 号：TN362[电子电信—物理电子学]