C掺杂GaAs外延层光学特性分析  

Carbon doped GaAs epitaxial layer grown by MOCVD

作　　者：邢艳辉[1] 李建军[1] 邓军[1] 韩军[1] 盖红星[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学北京光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《量子电子学报》2006年第2期222-224,共3页Chinese Journal of Quantum Electronics

基　　金：国防科技预研基金(51456020203QT0101);国家自然科学基金(60077004);国家973(G20000683-02)资助项目

摘　　要：对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs 外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩, PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小。The GaAs epitaxial layers of various dopant concentration are grown with CCl4 as the doping source by the EMCORE D125 MOCVD system. The C-doped GaAs optical properties are studied by PL, DC XRD. With C dopant concentration increase, band gap shrink, FWHM of PL increase, and lattice constant decrease.

关 键 词：光电子学 GaAs掺杂 光荧光谱 X射线衍射 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]