Na_2S钝化的GaAs表面光荧光特性的研究  

Study of photoluminescence character on GaAs surface passivated by Na_2S

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作  者:李静[1] 任殿胜[1] 李光平[1] 严如岳[1] 汝琼娜[1] 董颜辉[1] 

机构地区:[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津55信箱300192

出  处:《现代仪器》2003年第4期35-36,共2页Modern Instruments

摘  要:本文用RPM2050型快速扫描光荧光谱仪(PL Mapper)研究经过Na2S.9H2O醇饱 和溶液钝化处理后GaAs表面的光荧光特性。结果表明,GaAs表面经过硫钝化处理后,可 大大降低复合速度改善发光效率。Rapid Photoluminescence Mapper Was used to investigate luminescence efficiency of the GaAs surface,Which was passivated using Na2S. 9H20 alcohol solutions. It Was found that the surface recombination rate of GaAs was reduced and the luminescence efficiency was improved by sulphide passivation.

关 键 词:砷化镓 表面硫钝化 发光效率 光荧光谱 快速扫描光荧光谱仪 化合物半导体 

分 类 号:TN304.23[电子电信—物理电子学] O657.3[理学—分析化学]

 

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