GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性  

Optical properties and material growth of GaAs(110) quantum wells

作　　者：刘林生[1] 刘肃[1] 王文新 赵宏鸣[2] 刘宝利[2] 蒋中伟[2] 高汉超[2] 王佳[2] 黄庆安[1] 陈弘[2] 周均铭[2] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000 [2]中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室,北京100080

出　　处：《光学精密工程》2007年第5期678-683,共6页Optics and Precision Engineering

基　　金：中国科学院知识创新工程资助项目;国家自然科学基金资助项目(No.10504030)

摘　　要：GaAs(110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化。通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品进行了测量。结果表明,量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差,单层生长模式下光学性能比较好,但是量子阱界面会变得粗糙。利用这一特点,采用RHEED强度振荡技术,能够实现在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱。There are two growth modes （monolayer-by-monolayer and bilayer-by-bilayer） under different conditions that correspond to monolayer and bilayer RHEED （Reflection High Energy Electron Diffraction） oscillations when GaAs epitaxial layer grows on GaAs （110） substrate. TEM （Transmission Electron Microscope） and photoluminescence measurements at room temperature and low temperature show that the quantum wells have very bad optical property under bilayer-by-bilayer growth mode and have nice optical property and rough interfaces under monolayer-by-monolayer growth mode. The results show that using different RHEED oscillations under different growth conditions, it is possible to grow high quality quantum wells on GaAs（110） surface.

关 键 词：光荧光谱 砷化镓 量子阱 分子束外延 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]