金属-半导体场效应晶体管

作品数：13被引量：32H指数：4
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4H-SiC金属-半导体场效应晶体管大信号I-V特性和小信号参数的计算
《计算物理》2011年第1期145-151,共7页王平 杨银堂 刘增基 尚韬 郭立新 
国家重点实验室人才基金(ISN1003006);中国博士后科学基金(20100481322)资助项目
基于碳化硅金属-半导体场效应晶体管内部载流子输运的物理特性分析,建立适于精确计算4H-SiCMESFET器件大信号电流-电压特性和小信号参数的解析模型.该模型采用场致迁移率、速度饱和近似,并考虑碳化硅中杂质不完全离化效应及漏源串联电...
关键词：碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 电流-电压特性 小信号参数 模型 
提高SiC MESFET功率增益的研究被引量：3
《半导体技术》2010年第4期333-336,共4页娄辰 潘宏菽 
在高纯半绝缘衬底上采用国产的外延技术和自己开发的器件设计及工艺技术,研制出在S波段连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,比研制初期的3～5 dB的功率增益得到了较大幅度的提高,初步显现了Si...
关键词：碳化硅 微波 功率器件 金属-半导体场效应晶体管 半绝缘衬底 
提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法被引量：2
《半导体技术》2010年第3期221-224,共4页霍玉柱 商庆杰 杨霏 潘宏菽 
SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效...
关键词：金属-半导体场效应晶体管 栅金属:平坦性 隔离台阶 电迁徙 离子注入隔离 
SiC MESFET工艺技术研究与器件研制被引量：9
《半导体技术》2009年第6期549-552,共4页商庆杰 潘宏菽 陈昊 霍玉柱 杨霏 默江辉 冯震 
国家重点实验室基金项目(9140C0607010704)
针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚...
关键词：碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 牺牲氧化 干法刻蚀 等平面工艺 
SiC MESFET工艺在片检测技术被引量：1
《半导体技术》2008年第12期1095-1099,共5页商庆杰 潘宏菽 陈昊 李亮 杨霏 霍玉柱 
国家重点实验室资助项目(9140C060702060C0603)
介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。芯片表面情况判定主要通过显微镜观察表面形貌、原子力显微镜测...
关键词：碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 检测 干法刻蚀 比接触电阻率 
S波段系列SiC MESFET器件研制被引量：7
《微纳电子技术》2008年第6期322-325,333,共5页李亮 潘宏菽 默江辉 陈昊 冯震 杨克武 蔡树军 
SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点，使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展。采用国产SiC外延片，解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题；针对不同应...
关键词：碳化硅 S波段 功率器件 金属-半导体场效应晶体管 功率密度 
S波段10W SiC MESFET的研制被引量：11
《半导体技术》2007年第11期940-943,共4页潘宏菽 李亮 陈昊 齐国虎 霍玉柱 杨霏 冯震 蔡树军 
国家重点实验室基金项目(9140C060702060C0603)
采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加...
关键词：碳化硅 微波 功率器件 金属-半导体场效应晶体管 
GaAs MESFET的热电子应力退化被引量：6
《电子产品可靠性与环境试验》2005年第6期32-35,共4页朱炜容 黄云 黄美浅 钮利荣 
进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤V_(DS)≤28V,-5．5V≤V_(CS)≤-4V 的应力条件下,热电子效应将导致 GaAs MESFET 直流参数的严重退化。退化模式主要表现为饱和漏电流 I_(DSS)减小,跨导 g_m 减小, 夹断电压 V_P 增大,击穿电压...
关键词：砷化镓 金属-半导体场效应晶体管 热电子效应 界面态 退化 
MESFET微波放大器的稳定化方法
《固体电子学研究与进展》2005年第1期124-128,共5页庄庆德 吉田吾朗 
介绍了以 MESFET构成的微波放大器的 2种稳定化方法 ;在栅漏间或栅源间插入 RCL串联支路。分析了在这两种方法中 ,稳定化因子 K以及电路增益与 RCL参数的关系。
关键词：微波单片集成电路 稳定化 金属-半导体场效应晶体管 
4H-SiC MESFET高频小信号特性的模拟与分析被引量：3
《西安电子科技大学学报》2004年第6期825-828,共4页王雷 张义门 张玉明 盛立志 
国家部委预研资助项目(413080600107)
建立了4H SiCMESFETs的模型,运用二维器件模拟软件MEDICI对4H SiCMESFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H SiCMESFETs的高频小信号特性进行了模拟,模拟结果与实验数值比较表明在特征频率fT以内得到了较为满意的...
关键词：4H-SIC 金属-半导体场效应晶体管 高频小信号 特征频率 
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