电迁徙

作品数：7被引量：4H指数：1
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提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法被引量：2
《半导体技术》2010年第3期221-224,共4页霍玉柱 商庆杰 杨霏 潘宏菽 
SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效...
关键词：金属-半导体场效应晶体管 栅金属:平坦性 隔离台阶 电迁徙 离子注入隔离 
谈CPU性能的提升——超频
《新课程（教育学术）》2009年第9期84-84,共1页李欣 
CPU作为电脑最核心的硬件,在电脑运行时起着至关重要的作用。为了让我们的操作更加顺利流畅,可以在CPU允许的范围内提升它的性能,首先,最直接的方法就是CPU的超频。什么是CPU的超频呢·任何一个对计算机硬件感兴趣的发烧友对超频都一定...
关键词：计算机硬件 外频 超频能力 显示卡 电迁徙 频繁死机 工作频率 散热片 时起 计算机运行 
金属线刻蚀工序光刻胶剥离工程中金属颗粒(Cu)析出案例调查及解决方案
《黑龙江科技信息》2008年第8期27-27,178,共2页陈帆 戎蒙恬 
在现今大规模集成电路制造过程中,某些Memory,LCD产品的金属线刻蚀工序,在刻蚀生成聚合物的洗净过程中容易产成金属颗粒(主要是Cu颗粒)。对其工艺流程因素,机台硬件因素,产生机理进行了调查,得出了结论,并提出了有效的解决方案。
关键词：光刻胶剥离 聚合物 CU 颗粒析出 刻蚀 电迁徙 
采用同步辐射源X射线衍射技术原位观测VLSI铝互连线的应力被引量：1
《北京工业大学学报》2005年第5期514-518,共5页吉元 刘志民 付厚奎 李志国 钟涛兴 张虹 吴月华 付景永 
国家基金委重点基金资助项目(69936020)军用模拟集成电路国防科技重点实验室基金资助项目(51439040203 QT0101).
为研究VLSI金属互连线的应力导致IC器件失效的问题,采用同步辐射源X射线衍射技术,原位测试了VLSI中Al互连线在电迁徙及加热条件下的应力变化.沉积态的Al互连线在室温下为拉应力.退火过程使拉应力逐渐减小,在300～350℃过程中由拉应力转...
关键词：同步辐射源X射线衍射 Al互连线 热应力 电迁徙 
温度梯度对VLSI金属化布线电徙动特性的影响
《固体电子学研究与进展》1998年第4期408-414,共7页郭伟玲 李志国 吉元 孙英华 张万荣 沈光地 
自然科学基金;北京市自然科学基金
设计了一种新型TiW膜自加热结构,产生沿金属化条长方向的温度梯度。文中采用独立的实验和测温金属条结构,利用电阻与温度间的线性关系精确测定金属条上的温度分布,用电阻测温法直接确定电迁徙失效在金属化条上的分布,SEM分析与测试结果...
关键词：温度梯度 电迁徙 中值寿命 VLSI 金属化布线 
电迁徙参数—电流密度因子电流斜坡测试法被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第11期825-831,共7页李志国 孙英华 邓燕 张炜 程尧海 郭伟玲 张万荣 
国家自然科学基金
本文对电迁徙参数电流密度因子n及n值的精确测量技术进行了深入研究．首次提出了动态电流斜坡电流密度因子测试法（DCR）．该方法与传统的MTF法不同，能精确控制金属条温，消除了高电流密度条件下焦耳热的影响，提高了n值的测量精度与...
关键词：电流密度 电迁徒参数 DCR 半导体材料 测试 
电迁徙参数的电流斜坡动态测试
《北京工业大学学报》1996年第4期31-36,共6页孙英华 李志国 邓燕 程尧海 郭伟玲 
采用电流斜坡法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为：２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）．结果表明，...
关键词：半导体器件 可靠性 电迁徒 电流斜坡法 测试 
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