金属线刻蚀工序光刻胶剥离工程中金属颗粒(Cu)析出案例调查及解决方案  

作　　者：陈帆[1] 戎蒙恬[1] 

机构地区：[1]上海交通大学电子工程系,上海200000

出　　处：《黑龙江科技信息》2008年第8期27-27,178,共2页Heilongjiang Science and Technology Information

摘　　要：在现今大规模集成电路制造过程中,某些Memory,LCD产品的金属线刻蚀工序,在刻蚀生成聚合物的洗净过程中容易产成金属颗粒(主要是Cu颗粒)。对其工艺流程因素,机台硬件因素,产生机理进行了调查,得出了结论,并提出了有效的解决方案。

关 键 词：光刻胶剥离 聚合物 CU 颗粒析出 刻蚀 电迁徙 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学] TB333[一般工业技术—材料科学与工程]