霍玉柱

作品数：9被引量：23H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：碳化硅SIC_MESFET淀积功率器件干法刻蚀更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
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S波段连续波SiC功率MESFET被引量：1
《微纳电子技术》2011年第3期155-158,共4页陈昊 潘宏菽 杨霏 霍玉柱 商庆杰 齐国虎 刘志平 
利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W、功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势。与以往的...
关键词：碳化硅 功率器件 连续波 内匹配 微波 
S波段脉冲大功率SiC MESFET被引量：6
《微纳电子技术》2011年第1期12-14,20,共4页杨霏 潘宏菽 霍玉柱 商庆杰 默江辉 闫锐 
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功...
关键词：碳化硅 金属-肖特基势垒场效应晶体管(MESFET) S波段 脉冲 大功率 
SiC高温氧化的研究被引量：5
《半导体技术》2010年第10期980-982,共3页霍玉柱 商庆杰 潘宏菽 
热氧化是碳化硅晶片工艺中一种常用的工艺,但基于硅工艺的氧化温度一般都相对较低,此温度下,碳化硅氧化缓慢,在很多情况下很难满足工艺需求。利用新设计的高温氧化设备对碳化硅晶片进行不同温度下的氧化实验。实验结果显示,高温下,碳化...
关键词：碳化硅 微波 功率器件 氧化 
提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法被引量：2
《半导体技术》2010年第3期221-224,共4页霍玉柱 商庆杰 杨霏 潘宏菽 
SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效...
关键词：金属-半导体场效应晶体管 栅金属:平坦性 隔离台阶 电迁徙 离子注入隔离 
SiC MESFET工艺技术研究与器件研制被引量：9
《半导体技术》2009年第6期549-552,共4页商庆杰 潘宏菽 陈昊 霍玉柱 杨霏 默江辉 冯震 
国家重点实验室基金项目(9140C0607010704)
针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚...
关键词：碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 牺牲氧化 干法刻蚀 等平面工艺 
SiC MESFET工艺在片检测技术被引量：1
《半导体技术》2008年第12期1095-1099,共5页商庆杰 潘宏菽 陈昊 李亮 杨霏 霍玉柱 
国家重点实验室资助项目(9140C060702060C0603)
介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。芯片表面情况判定主要通过显微镜观察表面形貌、原子力显微镜测...
关键词：碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 检测 干法刻蚀 比接触电阻率 
国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制被引量：2
《半导体技术》2008年第11期1007-1010,共4页陈昊 商庆杰 郝建民 齐国虎 霍玉柱 杨克武 
以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料。外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250μm,饱和电流密...
关键词：4H-SIC 半绝缘衬底 金属肖特基场效应晶体管 外延 微波 功率器件 
S波段10W SiC MESFET的研制被引量：11
《半导体技术》2007年第11期940-943,共4页潘宏菽 李亮 陈昊 齐国虎 霍玉柱 杨霏 冯震 蔡树军 
国家重点实验室基金项目(9140C060702060C0603)
采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加...
关键词：碳化硅 微波 功率器件 金属-半导体场效应晶体管 
n型4H-SiC同质外延层上欧姆接触的研究被引量：3
《半导体技术》2007年第10期867-870,共4页田爱华 赵彤 潘宏菽 陈昊 李亮 霍玉柱 
国家重点基础研究发展规划项目(2002CB311904)
介绍了n+-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n+-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离(0001)方向7.86°的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得。对于n+-SiC/Ti/Pt接触系统,通过合金实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到...
关键词：4H-SIC 同质外延 欧姆接触 比接触电阻 接触的高温稳定性 
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