田爱华

作品数：2被引量：5H指数：2
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发文主题：4H-SICN型比接触电阻欧姆接触4H-碳化硅更多>>
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高频4H-SiC双极晶体管的研制被引量：2
《半导体技术》2009年第1期58-61,共4页田爱华 崔占东 赵彤 刘英坤 
国家重点基础研究发展规划资助项目(2002CB311904)
研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管。该器件采用了双台面结构和叉指结构,室温下的最大直流电流增益(β)为3.25,集电结击穿电压BVCBO达200 V。器件的β随温度的升高而降低,具有负的温度系数,这种特性使该器件容易并联,避免出现热失...
关键词：4H-碳化硅 双极晶体管 电流增益 截止频率 
n型4H-SiC同质外延层上欧姆接触的研究被引量：3
《半导体技术》2007年第10期867-870,共4页田爱华 赵彤 潘宏菽 陈昊 李亮 霍玉柱 
国家重点基础研究发展规划项目(2002CB311904)
介绍了n+-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n+-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离(0001)方向7.86°的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得。对于n+-SiC/Ti/Pt接触系统,通过合金实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到...
关键词：4H-SIC 同质外延 欧姆接触 比接触电阻 接触的高温稳定性 
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