刘英坤

作品数：4被引量：6H指数：2
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发文主题：4H-碳化硅4H-SICTIPTN型更多>>
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n型4H-SiC上Ni/Pt和Ti/Pt欧姆接触(英文)被引量：2
《半导体技术》2014年第2期128-131,共4页秦龙 刘英坤 杨勇 邓建国 
研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H-SiC上的欧姆接触。在1 020℃退火后,Ni/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2×10-6Ω·cm2。Ti/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为5.4×10-6Ω·cm2,退火温度为1 050℃。虽然Ni的功函数比Ti的功...
关键词：欧姆接触 n型4H—SiC NI Pt和Ti PT 碳空位 比接触电阻 
屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制被引量：1
《半导体技术》2013年第3期199-202,共4页李飞 刘英坤 邓建国 胡顺欣 孙艳玲 
在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的...
关键词：射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅漏电容 栅屏蔽层 台栅结构 屏蔽栅结构 
高频4H-SiC双极晶体管的研制被引量：2
《半导体技术》2009年第1期58-61,共4页田爱华 崔占东 赵彤 刘英坤 
国家重点基础研究发展规划资助项目(2002CB311904)
研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管。该器件采用了双台面结构和叉指结构,室温下的最大直流电流增益(β)为3.25,集电结击穿电压BVCBO达200 V。器件的β随温度的升高而降低,具有负的温度系数,这种特性使该器件容易并联,避免出现热失...
关键词：4H-碳化硅 双极晶体管 电流增益 截止频率 
功率MOSFET抗辐照性能初探被引量：1
《微电子学与计算机》1989年第12期23-27,共5页刘英坤 赵丽华 
本文报导了近年来发展较为突出的功率场效应器件VDMOSFET的辐射效应以及国内外VDMOSFET的抗辐照特性,最后给出了该器件的基本设计原则和加同工艺技术。
关键词：功率MOSFET 辐照 MOS器件 
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