李飞

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文主题：VDMOSFET金属-氧化物-半导体场效应晶体管屏蔽层屏蔽射频功率更多>>
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屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制被引量：1
《半导体技术》2013年第3期199-202,共4页李飞 刘英坤 邓建国 胡顺欣 孙艳玲 
在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的...
关键词：射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅漏电容 栅屏蔽层 台栅结构 屏蔽栅结构 
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