赵丽华

作品数：3被引量：1H指数：1
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硅二极菅脉冲中子辐照效应的研究
《南京大学学报（自然科学版）》1995年第4期548-551,共4页吴凤美 施毅 杭德生 肖晟 赖启基 赵丽华 李国华 周荷秀 
对加固Ｐ＋ｎｎ＋高压整流二极营进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０１３ｎ／ｃｍ２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ３缺陷，氧空位和双空位缺陷强度很低。氧空位密度的降低...
关键词：脉冲中子 辐照效应 二极管 氧空位 硅二极管 
MNOS结构辐照感生界面电荷的研究
《南京大学学报（自然科学版）》1993年第3期376-382,共7页吴凤美 施毅 赵丽华 祁斌 刘英堃 周荷秀 路金印 
本文报导了MNOS结构经γ射线、电子和中子辐照在SiO_2-Si界面产生感生电荷的研究结果。实验表明,目前的MNOS结构在较低剂量时辐照感生电荷就趋于饱和,辐照特征与SiO_2厚度及辐照顺序有关。文中还对实验结果作了进一步讨论。
关键词：MNOS结构 辐照 界面电荷 半导体 
功率MOSFET抗辐照性能初探被引量：1
《微电子学与计算机》1989年第12期23-27,共5页刘英坤 赵丽华 
本文报导了近年来发展较为突出的功率场效应器件VDMOSFET的辐射效应以及国内外VDMOSFET的抗辐照特性,最后给出了该器件的基本设计原则和加同工艺技术。
关键词：功率MOSFET 辐照 MOS器件 
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