李国华

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硅二极菅脉冲中子辐照效应的研究
《南京大学学报（自然科学版）》1995年第4期548-551,共4页吴凤美 施毅 杭德生 肖晟 赖启基 赵丽华 李国华 周荷秀 
对加固Ｐ＋ｎｎ＋高压整流二极营进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０１３ｎ／ｃｍ２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ３缺陷，氧空位和双空位缺陷强度很低。氧空位密度的降低...
关键词：脉冲中子 辐照效应 二极管 氧空位 硅二极管 
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