孙英华

作品数：41被引量：48H指数：4
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：可靠性欧姆接触半导体器件金属化布线砷化镓更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《半导体杂志》《微电子学》《微电子学与计算机》《北京工业大学学报》更多>>
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Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性被引量：4
《电子学报》2001年第8期1132-1134,共3页张万荣 李志国 王立新 汪东 崔福现 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 罗晋生 
北京市自然基金 (No .4982 0 0 4 ) ;北京市科技新星项目基金 (No.952 871 90 0 )
同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,...
关键词：异质结双极晶体管 负阻特性 输出特性 硅 锗 
TiA1和TiPtAu栅GaAs MESFET稳定性研究
《固体电子学研究与进展》2001年第2期216-221,共6页张万荣 李志国 程尧海 高玉珍 孙英华 陈建新 沈光地 
北京市科技新星计划课题! (95 2 87190 0 );国防科工委"九.五"军事预研课题! (96 0 30 9)
在高温和大栅电流下 ,对 Ti Al栅和 Ti Pt Au栅 MESFET的稳定性进行了比较研究 ,结果表明 :( 1)两种器件的击穿电压稳定 ,栅 Schottky接触二极管理想因子 n变化不明显 ;( 2 ) Ti Al栅的 MESFET的栅特性参数 (栅电阻 Rg,势垒高度 Φb)变...
关键词：砷化镓 金属-半导体肖特基势 垒场效应晶体管 性能 稳定性 
微波功率器件金属化布线回流加固结构
《Journal of Semiconductors》2000年第7期705-710,共6页孙英华 李志国 程尧海 张万荣 
北京市自然科学基金和北京市科技新星计划资助
在回流动力学理论和实验研究的基础上 ,将回流加固结构应用于实际微波功率器件 .结合器件具体结构和制备工艺 ,对金属化布线电流分布和最佳回流长度进行了模拟计算和分析 ,结合实际工艺优化设计了回流加固结构 ,制备了六种结构样管 ,电...
关键词：回流结构 金属化 微波功率器件 
具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性被引量：4
《Journal of Semiconductors》2000年第6期608-613,共6页张万荣 李志国 穆甫臣 程尧海 孙英华 郭伟玲 陈建新 沈光地 张玉清 张慕义 
北京市科技新星计划资助项目
提出了金属 -半导体欧姆接触退化的快速评估方法——温度斜坡快速评价法 ,并建立了自动评估系统 ,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能 ,和传统方法相比 ,耗时少 ,所需样品少 ,所得结果和传统方法一致 .针对传统 Au Ge Ni/Au欧姆接...
关键词：欧姆接触 可靠性 阻挡层 砷化镓 
回流加固结构金属化系统的可靠性测试
《半导体技术》2000年第4期47-50,共4页孙英华 李志国 苗城 程尧海 张万荣 强桂华 穆杰 
北京市自然科学基金!4972007;北京科技新星计划资助!951874300
结合器件具体结构和工艺，在回流效应理论和实验研究的基础上优化设计了回流加固结构。建立了一套自动测试系统，对回流加固结构样管进行了电热加速应力试验，考核了不同结构的加固效果及抗热电迁徙性能，优选了最佳回流结构。
关键词：回流加固结构 集成电路 金属化系统 可靠性测试 
基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/SiHBT基区渡越时间的影响被引量：1
《微电子学》2000年第1期5-7,共3页张万荣 李志国 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 
北京市自然科学基金;北京市科技新星计划;电子元器件可靠性国家重点实验室资助课题
由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的...
关键词：异质结晶体管 掺杂 基区渡越时间 硅 锗化硅 HBT 
高温大电流应力对TiAl/GaAs和TiPtAu/GaAs Schottky二极管Richardson图的影响
《北京工业大学学报》2000年第2期1-4,共4页张万荣 高玉珍 李志国 程尧海 孙英华 陈建新 沈光地 穆杰 
北京市科技新星计划资助!952871900;国防科工委"九.五"军事预研资助
研究了高温和大电流应力对ＴｉＡｌ／ＧａＡｓ和ＴｉＰｔＡｕ／ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管Ｉ￣Ｖ特性及对Ｒｉｃｈａｒｄｓｏｎ图的影响。
关键词：SCHOTTKY二极管 Richardson图 高温 大电流应力 
重掺杂P型Si_(1-x)Ge_x层中少数载流子浓度的低温特性被引量：1
《微电子学》1999年第5期311-313,共3页张万荣 李志国 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 
北京市自然科学基金! (4982 0 0 4 );北京市科技新星计划基金 !(952 871 90 0 );电子元器件可靠性国家实验室资助课题 !(990 30 4 0 1 )
考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应,建立起少数载流子室温和低温模型,并进行了定量的计算。研究发现,p-Si1-xGex中的少子浓度(电子)随x的增加而增加。在重掺杂条件下,常温时,少子浓度随杂质浓度的上升而下降;而低温时,少子浓度却随杂质浓...
关键词：半导体材料 SIGE合金 低温特性 掺杂 
对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第3期250-253,共4页穆甫臣 李志国 张万荣 郭伟玲 孙英华 严永鑫 
电子部"九五"预研项目和北京市科技新星项目资助
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大 ,从漏 -源电阻与 X( X为栅势垒内建电势、夹断电压和栅 -源...
关键词：MESFET 半导体器件 Fukui法 栅极串联电阻 
GaAs MESFETs欧姆接触的快速评估和改进被引量：1
《北京工业大学学报》1999年第3期1-4,共4页张万荣 李志国 穆甫臣 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 穆杰 
国防科工委"九.五"军事预研基金;北京市科技新星计划!9528719007
提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法-温度斜坡快速评价法，并建立了自动评估系统，用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能，和传统方法相比，耗时少，所需样品少，所得结果和传统方法一致．同时，针对传统AuGeNi／Au欧姆接...
关键词：MESFET 欧姆接触 激活能 扩散阻挡层 砷化镓 
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