SCHOTTKY二极管

作品数：9被引量：17H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：孙道礼何月王成邓贤进刘杰更多>>
相关机构：哈尔滨工业大学中国工程物理研究院中国工程物理研究院电子工程研究所中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
相关期刊：《微处理机》《微电子技术》《东南大学学报（自然科学版）》《红外与毫米波学报》更多>>
相关基金：国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-9
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于Schottky管安装电路环境三维模型的W波段全波段三倍频器被引量：2
《东南大学学报（自然科学版）》2018年第1期1-6,共6页窦江玲 徐金平 徐梦苑 
国家自然科学基金资助项目(51678134;51208092;31370539);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(3203007405)
为了改善W波段全波段Schottky二极管三倍频器高端性能,建立倍频二极管实际安装电路环境下的三维精确仿真模型.在传统去嵌入法提取二极管等效电路参数工作基础上,改进了阻抗参数提取方法.采用UMS公司的DBES105a双Schottky结二极管作为倍...
关键词：W波段 三倍频器 SCHOTTKY二极管 输入输出阻抗 
基于Schottky二极管和Hammer-Head滤波器0.67THz二次谐波混频器被引量：12
《红外与毫米波学报》2016年第4期418-424,共7页蒋均 何月 王成 刘杰 田遥岭 张健 邓贤进 
国家重点基础研究发展计划("973"计划)(2015CB755406)~~
通过测量肖特基二极管的I-V和C-V曲线,建立等效电路模型.利用三维电磁场和谐波平衡仿真工具分别进行三维结构仿真和电路宽带匹配,最终实现混合集成方式的0.67THz谐波混频器设计.测试结果表明：混频器中心频率为0.685 THz,射频3 dB带宽为...
关键词：0.67 THZ 谐波混频器 Y因子测试 肖特基二极管 
用于移动设备的同步整流器
《今日电子》2014年第11期67-67,共1页
iW671使用一个更加高效的MOSFET替代传统电源中的次级侧Schottky二极管，并与Dialog的iW1786或iW1787初级侧控制器配合使用，所达效率超过88％。同时，强劲有力的小型适配器可满足更高的功率密度需求，而且不会超过温度限值。 传统电...
关键词：同步整流器 SCHOTTKY二极管 移动设备 整流输出电压 MOSFET DIALOG 功率密度 温度限值 
混合PIN/Schottky二极管特性简析被引量：2
《微处理机》2012年第4期16-17,共2页蔡震 马洪江 
软恢复快速功率二极管广泛应用于电力电子电路中,采用MPS结构的软恢复快速二极管既克服了传统PIN二极管开关速度较低的缺点,又解决了肖特基二极管较低击穿电压的缺陷,它具有速度快、击穿电压高、漏电流小、软恢复特性好的优点。对MPS二...
关键词：混合PIN SCHOTTKY二极管 快速 软恢复 
MEGA技术支持移动设备与汽车应用
《今日电子》2004年第5期65-65,共1页
关键词：MEGA技术 移动设备 汽车 SCHOTTKY二极管 封装 肖特基二极管 
6H-SiC Schottky二极管的正向特性
《Journal of Semiconductors》2003年第5期504-509,共6页尚也淳 刘忠立 王姝睿 
提出了一种考虑 Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的 Si C Schottky二极管 ( SBD)正向特性模型 ,势垒的不均匀性来自于 Si C外延层上的各种缺陷 ,而界面层上的压降会使正向 Schottky结的有效势垒增高 .该模型能够对不同温度下 Si C S...
关键词：Schottky结 势垒不均匀性 界面层 二极管 正向特性 6H-SIC 
SiC电力电子器件喷薄欲发被引量：1
《世界产品与技术》2002年第3期55-57,共3页陈裕权 
以Si为代表的传统半导体电力器件可满足电力电子对功率大、工作速度快、通态电阻小、驱动功率低等方面的应用要求。但是,只有SiC等宽禁带半导体材料才能根本上解决电力电子对高击穿电压高工作温度等方面的要求,并有可能省去过流、过压...
关键词：SIC 电力电子器件 碳化硅 PN结二极管 SCHOTTKY二极管 晶闸管 
高温大电流应力对TiAl/GaAs和TiPtAu/GaAs Schottky二极管Richardson图的影响
《北京工业大学学报》2000年第2期1-4,共4页张万荣 高玉珍 李志国 程尧海 孙英华 陈建新 沈光地 穆杰 
北京市科技新星计划资助!952871900;国防科工委"九.五"军事预研资助
研究了高温和大电流应力对ＴｉＡｌ／ＧａＡｓ和ＴｉＰｔＡｕ／ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管Ｉ￣Ｖ特性及对Ｒｉｃｈａｒｄｓｏｎ图的影响。
关键词：SCHOTTKY二极管 Richardson图 高温 大电流应力 
ISV86 Schottky二极管结半径与反向漏电之间的关系
《微电子技术》1996年第6期24-28,共5页黄英 
本文介绍了ISV86Schottky二极管研制过程中为降低反向漏电所进行的理论分析。Schottky终端结处的强场效应是产生漏电的主要原因，推算了无保护环Schottky二极管（USDB）终端结半径与其Ⅰ─Ⅴ特性的数学关系。然后利用这些数学表达式进...
关键词：终端结 ISV86 反向漏电 二极管 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部