朱炜容

作品数：1被引量：6H指数：1
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供职机构：华南理工大学理学院更多>>
发文主题：界面态金属-半导体场效应晶体管热电子砷化镓失效模式更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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GaAs MESFET的热电子应力退化被引量：6
《电子产品可靠性与环境试验》2005年第6期32-35,共4页朱炜容 黄云 黄美浅 钮利荣 
进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤V_(DS)≤28V,-5．5V≤V_(CS)≤-4V 的应力条件下,热电子效应将导致 GaAs MESFET 直流参数的严重退化。退化模式主要表现为饱和漏电流 I_(DSS)减小,跨导 g_m 减小, 夹断电压 V_P 增大,击穿电压...
关键词：砷化镓 金属-半导体场效应晶体管 热电子效应 界面态 退化 
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