MESFET微波放大器的稳定化方法  

The Stability Method of MMIC MESFET Amplifier

作　　者：庄庆德[1] 吉田吾朗 

机构地区：[1]河北科技大学信息学院,石家庄050054 [2]日本无线公司MMIC研究室

出　　处：《固体电子学研究与进展》2005年第1期124-128,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：介绍了以 MESFET构成的微波放大器的 2种稳定化方法 ;在栅漏间或栅源间插入 RCL串联支路。分析了在这两种方法中 ,稳定化因子 K以及电路增益与 RCL参数的关系。This paper introd uces two kinds of methods to stabilize M MIC amplifier consisting of MESFET and R CL series branch circuit inserted betwee n both gate and drain or gate and source . The relationship of stability factor K and circuit gain with parameters of RCL is also analyzed.

关 键 词：微波单片集成电路 稳定化 金属-半导体场效应晶体管 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]