冯志宏

作品数：8被引量：5H指数：2
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AlGaN/GaN HEMT 2DEG电致耦合模型的研究
《半导体技术》2009年第12期1185-1188,1204,共5页兰立广 张志国 杨瑞霞 冯志宏 蔡树军 杨克武 
国家自然科学基金重大项目(NSFC60890192);天津市自然科学基金项目(07JCZDJC06100)
传统计算AlGaN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的方法是根据Hooke定律计算c轴方向压应变与拉应变,然后利用压电模量计算出不依赖于栅压的2DEG,称为非耦合模型计算。提出了一种电致耦合模型来计算2DEG,在计算过程中考虑到弛豫度与附加电场对...
关键词：电致耦合模型 氮化镓 弛豫 逆压电效应 二维电子气 
X波段GaN HEMT的研制
《半导体技术》2008年第8期677-679,共3页王勇 冯震 宋建博 李静强 冯志宏 杨克武 
国家973基金资助项目(51327030201)
采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250V/10μA。通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较理想的肖特基势垒特性,电压也得到了大幅度提高,理想因子n值小于1.7,源漏击穿电压大于50V/1mA,栅源击穿电...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 肖特基势垒 击穿电压 输出功率 
AlGaN基日盲型紫外探测器的研制被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期224-226,共3页尹顺政 李献杰 蔡道民 刘波 冯志宏 
采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaNpin紫外探测器。介绍了器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为4.6V,零偏动态电阻为1012～1013Ω,常温下,该...
关键词：日盲 紫外探测器 刻蚀 
X波段大功率GaN HEMT的研制
《微纳电子技术》2008年第6期318-321,共4页宋建博 冯震 王勇 张志国 李亚丽 冯志宏 蔡树军 杨克武 
国家973资助项目(51327030201)
在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔...
关键词：氮化镓基高电子迁移率晶体管 X波段 输出功率 功率增益 功率附加效率 
表面处理与离子注入对GaN HEMT肖特基特性的影响
《半导体技术》2008年第1期59-61,共3页宋建博 杨瑞霞 张志国 王勇 冯震 冯志宏 杨克武 
河北省自然科学基金资助项目(2007000098);天津市自然科学基金资助项目(07JCZDJC06100)
研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响。在栅金属化前,采用不同的表面处理方法进行实验,发现通过表面处理,栅肖特基特性得到一定的改善,但还不能从根本上解决漏电大、理想因子偏高的问题。进一步实验发...
关键词：表面处理 离子注入 泄漏电流 理想因子 肖特基特性 
5W Si衬底GaN基HEMT研究被引量：2
《半导体技术》2008年第1期62-64,共3页刘晨晖 冯震 王勇 冯志宏 默江辉 蔡树军 
介绍了Si衬底上外延生长GaN基HEMT的制备及其直流特性与微波特性的研究结果:栅宽200μm器件Vgs=0 V时饱和电流密度达0.975 A/mm,最大跨导240 mS/mm,夹断电压-4.5 V,栅漏击穿电压80 V;栅宽1 mm器件,在频率2 GHz下,工作电压Vds=25 V时,连...
关键词：硅衬底 微波特性 氮化镓基高电子迁移率晶体管 
蓝宝石衬底上生长AlGaN/AlN结构的应变分析被引量：2
《半导体技术》2007年第9期765-767,共3页梁栋 袁凤坡 张宝顺 尹甲运 刘波 冯志宏 
采用低温和高温AlN复合缓冲层的方法在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN结构,并进行了应变分析。通过X射线双晶衍射ω-2θ扫描曲线和拟合曲线分析发现,AlN是由两个不同弛豫度的应变缓冲层组成,弛豫度分别为96%和97.2%。AlN缓冲层在低温下...
关键词：AlGaN/AlN 应变 弛豫 弯曲系数 
调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响
《半导体技术》2007年第3期230-233,共4页许敏 袁凤坡 陈国鹰 李冬梅 尹甲运 冯志宏 
国家自然科学基金资助项目(60676035);河北省自然科学基金资助项目(603080);河北省自然科学基金资助项目(F2005000084)
利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaNHEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻(nS×μ)可以通过Si调制掺杂精确控制。当Si掺杂浓度为3×1018cm-3...
关键词：调制掺杂 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 迁移率 
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