刘晨晖

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：PHEMTGAN基HEMTGAAS_PHEMTSI衬底高电子迁移率更多>>
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5W Si衬底GaN基HEMT研究被引量：2
《半导体技术》2008年第1期62-64,共3页刘晨晖 冯震 王勇 冯志宏 默江辉 蔡树军 
介绍了Si衬底上外延生长GaN基HEMT的制备及其直流特性与微波特性的研究结果:栅宽200μm器件Vgs=0 V时饱和电流密度达0.975 A/mm,最大跨导240 mS/mm,夹断电压-4.5 V,栅漏击穿电压80 V;栅宽1 mm器件,在频率2 GHz下,工作电压Vds=25 V时,连...
关键词：硅衬底 微波特性 氮化镓基高电子迁移率晶体管 
毫米波PHEMT功率单片集成电路研究被引量：1
《半导体技术》2006年第3期194-198,共5页刘晨晖 张穆义 高学邦 
介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的...
关键词：毫米波 膺配高电子迁移率晶体管 功率 单片集成电路 
3毫米波段低噪声GaAs PHEMT研究
《半导体情报》1996年第4期19-23,共5页朱国良 袁明文 刘晨晖 邱伟 聂慧君 
阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果。研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ，这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端有源器件。在Ｋａ波段有优良的噪声和增益性能。
关键词：毫米波段低噪声 高电子迁移率 砷化镓 PHEMT 
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