梁栋

作品数：1被引量：2H指数：1
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蓝宝石衬底上生长AlGaN/AlN结构的应变分析被引量：2
《半导体技术》2007年第9期765-767,共3页梁栋 袁凤坡 张宝顺 尹甲运 刘波 冯志宏 
采用低温和高温AlN复合缓冲层的方法在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN结构,并进行了应变分析。通过X射线双晶衍射ω-2θ扫描曲线和拟合曲线分析发现,AlN是由两个不同弛豫度的应变缓冲层组成,弛豫度分别为96%和97.2%。AlN缓冲层在低温下...
关键词：AlGaN/AlN 应变 弛豫 弯曲系数 
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