罗大为

作品数：4被引量：1H指数：1
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供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：电流崩塌氮化镓场板GAN高电子迁移率晶体管温度分布更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌
《半导体技术》2008年第S1期105-108,共4页杜江锋 罗大为 罗谦 卢盛辉 于奇 杨谟华 
基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 沟道电子温度 场板 电流崩塌 
AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究被引量：1
《半导体技术》2007年第3期226-229,共4页严地 罗谦 卢盛辉 靳翀 罗大为 周伟 杨谟华 
国家自然科学基金资助项目(60576007)
通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱...
关键词：铝镓氮 氮化镓 高电子迁移率晶体管 电场 受主陷阱 
栅脉冲条件下GaN MESFET电子温度分布仿真
《微纳电子技术》2007年第2期66-69,87,共5页罗大为 卢盛辉 罗谦 杜江锋 靳翀 严地 
利用数值模拟仿真对GaNMESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究。结果表明,在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高,当栅脉冲电压为-18V时可达6223K,并且电子温度从最高点向四周逐渐降低最后与晶格温度(300K)达到一致。...
关键词：GaN金属半导体场效应晶体管 电子温度 仿真 
GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究
《半导体技术》2006年第11期856-858,867,共4页罗谦 杜江锋 罗大为 朱磊 龙飞 靳翀 周伟 杨谟华 
国家自然科学基金(60076007)
设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律。薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感...
关键词：氮化镓 表面态 电流崩塌 
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