何林

作品数：6被引量：43H指数：3
导出分析报告
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：复合结构开关电源技术同步整流数字控制软开关更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《电子器件》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
开关电源技术发展综述被引量：30
《微电子学》2016年第2期255-260,272,共7页张纯亚 何林 章治国 
随着电力电子技术的迅速发展,高频开关电源已被广泛应用于计算机、通信、工业自动化和航天航空等领域。从硬开关技术、软开关技术、同步整流技术、数字控制技术、复合结构技术等开关电源的五个技术发展阶段,对高频开关电源技术的发展路...
关键词：开关电源 硬开关 软开关 同步整流 数字控制 复合结构 
半导体测试仪器故障诊断技术研究被引量：1
《微电子学》2014年第3期395-397,412,共4页何林 蔡明理 
对半导体测试仪器故障诊断方法学和故障定位实用方法进行了初步研究。故障诊断是模式分类和识别结合维修经验的一种重复过程。在简述常用的诊断方法和故障定位技术基础上,用实例探讨了在半导体测试仪器维护实践中运用诊断理论的技巧。
关键词：半导体测试仪器 故障诊断 模式识别 
一种低压低功耗CMOS ULSI运算放大器单元被引量：2
《微电子学》2003年第5期443-446,共4页王向展 于奇 李竞春 宁宁 杨谟华 刘玉奎 谭开洲 何林 严顺炳 
国家自然科学基金项目(60072004);高等学校博士学科点基金(2000061402)
　基于新型的折叠电流镜负载PMOS差分输入级拓扑、轨至轨(Rail-to-Rail)AB类低压CMOS推挽输出级模型、低压低功耗LV/LP技术和Cadence平台的实验设计与模拟仿真,采用2μmP阱硅栅CMOS标准工艺,得到了一种具有VT=±0.7V、电源电压1.1～1.5...
关键词：低压低功耗 CMOS ULSI 运算放大器 AB类输出级 集成电路 
Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的生长及热稳定性研究被引量：3
《微电子学》2002年第2期120-123,共4页李竞春 杨沛峰 杨谟华 何林 李开成 谭开州 张静 
模拟集成电路国家重点实验室资助项目 (99Js0 95 .1)
利用分子束外延 ( MBE)技术生长了 Ge组份为 0 .1～ 0 .46的 Si1-x Gex 外延层。X射线衍射测试表明 ,Si Ge/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面 ,其它参数也可准确控制。通过 X射线双晶衍射摇摆曲线方法 ,研究了经 70 0°C、80 0...
关键词：热稳定性 应变材料 分子束外延 X射线双晶衍射 锗硅材料 
多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟被引量：4
《电子器件》2002年第1期97-100,共4页刘其贵 吴金 郑娥 魏同立 何林 
在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上 ,根据国内现有的双极工艺水平 ,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程 ,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图 ,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。
关键词：多晶硅 发射极 双极晶体管 工艺设计 计算机模拟 
SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究被引量：3
《微电子学》2001年第3期192-194,共3页李竞春 杨沛峰 杨谟华 谭开洲 何林 郑娥 
模拟集成电路国家重点实验室资助项目
为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密...
关键词：栅介质薄膜 低温制备 锗化硅 MOS器件 二氧化硅 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部