栅介质薄膜

作品数：11被引量：10H指数：2
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La_2Hf_2O_7栅介质薄膜的制备和结构表征
《轻工学报》2016年第3期104-108,共5页李俊玉 张焕君 
河南省教育厅科技重点项目(12A140015)
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上制备出高介电常数La2Hf2O7栅介质薄膜.利用X射线衍射(XRD)、同步辐射X射线反射(XRR)和X射线光电子能谱(XPS)测试了薄膜的微观结构和界面特性,以及退火处理对其的影响.结果表明,初始制备的薄膜...
关键词：脉冲激光沉积技术 La2Hf2O7栅介质薄膜 介电性能 
PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征
《半导体技术》2013年第10期755-759,共5页徐大伟 程新红 曹铎 郑理 万文艳 俞跃辉 
国家重大研究计划资助的课题(2009ZX02039-006);国家自然科学基金资助项目(11175229)
采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当...
关键词：等离子体预处理 等离子体增强原子层沉积（PEALD） 氧化铪 高介电常数材 料 界面优化 
Si_(83)Ge_(17)/Si压应变衬底上HfO_2栅介质薄膜的电学性能被引量：2
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第4期377-384,共8页涂雅婷 周广东 张守英 李建 邱晓燕 
国家自然科学基金(批准号:10904124;11074205);中央高校基本科研业务费专项资金(编号:XDJK2011C038)资助项目
本文用射频磁控溅射方法在p-Si83Ge17/Si压应变衬底上沉积制备HfO2栅介质薄膜,研究其后退火处理前后的电学性能,并与相同条件沉积在无应变p-Si衬底上HfO2薄膜的电学性能进行对比研究.物性测试分析结果表明,沉积HfO2薄膜为单斜相(m-HfO2...
关键词：HFO2薄膜 Si83Ge17/Si压应变衬底 电学性能 射频磁控溅射 
Gd_2O_3-HfO_2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析被引量：1
《稀有金属》2012年第3期405-409,共5页张心强 屠海令 杜军 杨萌萌 赵鸿滨 杨志民 
国家自然科学基金重点基金(50932001);国家自然科学基金青年科学基金(51102020);国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金资助项目(11076005);国家重大科技专项02专项(2009ZX02039-005)
以Gd2O3-HfO2(GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为"cube-on-cube",GDH薄膜与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Ge和[110]GDH∥[110]Ge。通过反射式高...
关键词：GD2O3 HFO2 Ge 外延 激光脉冲沉积 高k 
不同氛围溅射HfO_2栅介质薄膜的电学性能和界面微结构被引量：3
《中国科学：物理学、力学、天文学》2011年第3期243-248,共6页陈显峰 涂雅婷 周广东 邱晓燕 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10904124和10974158)
本文研究了不同沉积氛围(纯Ar,Ar+O2和Ar+N2)中射频磁控溅射制备HfO2薄膜的介电性能和界面微结构.实验结果表明在纯Ar氛围室温制备的HfO2薄膜具有较好的电学性能(有效介电常数ε-r～17.7;平带电压～0.36 V;1 V栅电压下的漏电流密度～4.1...
关键词：HFO2薄膜 介电性能 界面微结构 射频磁控溅射 
HfO_2栅介质薄膜的结构和介电性质研究被引量：1
《无机材料学报》2010年第5期468-472,共5页程学瑞 戚泽明 张国斌 李亭亭 贺博 尹民 
国家自然科学基金(10974191)
采用脉冲激光沉积方法(PLD)在Si(100)衬底上生长了HfO2栅介质薄膜.利用X射线衍射(XRD)和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)对其结构进行了表征,利用远红外光谱对其声子振动模式和介电性质进行了研究.结果表明,室温下制备薄膜为非晶,衬底温度...
关键词：HFO2薄膜 高介电常数栅介质 脉冲激光沉积 声子 
反应溅射SiO_xN_y栅介质薄膜的成分及C-V特性研究
《材料导报》2009年第20期11-12,16,共3页徐文彬 王德苗 
集美大学预研基金(4411-C60825);国家自然科学基金(50172042)
在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiOxNy栅介质薄膜的反应溅射制备。反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异。对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体...
关键词：氮氧化硅 氮氧比 C-V特性 栅介质 
多元高k氧化物材料的研究进展
《材料导报》2009年第15期35-39,共5页苏伟涛 王锦程 
浙江省教育厅科研项目(Y20080481)
近年来,多元高k氧化物材料一直是高k材料研究的热点。从材料结构以及物理性能研究方面对多元高k氧化物如多元稀土氧化物、多元过渡金属氧化物、稀土氧化物-过渡金属化合物的最新研究进行了总结。并对高k材料中最有应用潜力的氮氧化物和...
关键词：栅介质薄膜 高K材料 多元稀土氧化物 氮氧化物 
HfOxNy栅介质薄膜的电学特性
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期172-174,共3页蒋然 谢二庆 
用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空...
关键词：HfOxNy 溅射 空间电荷限制电流 离子跳跃电导 
恒电流应力引起HfO_2栅介质薄膜的击穿特性
《Journal of Semiconductors》2004年第8期1009-1012,共4页韩德栋 康晋锋 王成钢 刘晓彦 韩汝琦 王玮 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用磁控溅射的方法在 p- Si上制备了高 k(高介电常数 )栅介质 Hf O2薄膜的 MOS电容 ,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究 .利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积 Hf O2 薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的 ...
关键词：恒电流应力 高κ HFO2 击穿 
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