杨萌萌

作品数：4被引量：10H指数：2
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：HFO栅介质HFO2掺杂CEO2更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
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低压化学气相沉积生长双层石墨烯及其电输运特性研究被引量：3
《稀有金属》2013年第4期583-589,共7页曾亭 吴革明 赵鸿滨 杨萌萌 魏峰 杜军 
国家自然科学基金项目(50932001;51102020)资助
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)以铜箔为生长衬底来制备石墨烯。XRD表征得石墨烯生长前后铜箔衬底主要为(100)晶面,而且铜箔在高温下退火晶粒明显长大有利于高质量石墨烯的生长。拉曼光谱表明所制备的石墨烯为双层结构。通过转移、刻蚀...
关键词：石墨烯 低压化学气相沉积法 RAMAN光谱 光刻和刻蚀 退火 输运特性 
Gd_2O_3-HfO_2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析被引量：1
《稀有金属》2012年第3期405-409,共5页张心强 屠海令 杜军 杨萌萌 赵鸿滨 杨志民 
国家自然科学基金重点基金(50932001);国家自然科学基金青年科学基金(51102020);国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金资助项目(11076005);国家重大科技专项02专项(2009ZX02039-005)
以Gd2O3-HfO2(GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为"cube-on-cube",GDH薄膜与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Ge和[110]GDH∥[110]Ge。通过反射式高...
关键词：GD2O3 HFO2 Ge 外延 激光脉冲沉积 高k 
Al_2O_3界面钝化与热处理对Gd_2O_3-HfO_2高k薄膜电性能影响
《稀有金属》2012年第3期415-418,共4页郭亿文 张心强 熊玉华 杜军 杨萌萌 赵鸿滨 
国家自然重点基金(50932001);国家重大科技专项02专项(2009ZX02039-005);国家自然科学基金(50932001,51102020)
采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2(GDH)高k薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层。结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善了回滞窗口和平带电压的偏移。高温N2退火对堆栈层电学性能影...
关键词：AL2O3 Gd2O3-HfO2 堆栈层 磁控溅射 快速退火 
CeO_2掺杂对HfO_2栅介质电学特性的影响被引量：6
《稀有金属》2012年第2期292-296,共5页杨萌萌 屠海令 张心强 熊玉华 王小娜 杜军 
国家重点基金(50932001);国家重大科技专项02专项(2009zx02039-005)资助项目
采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容等电学性能进行表征。结果表明,掺入CeO2后,整个体系的氧空位...
关键词：CEO2 HFO2 掺杂 氧空位 高k 
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