熊玉华

作品数：45被引量：220H指数：8
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：吸气剂细化剂晶粒组织K4169高温合金计算机模拟更多>>
发文领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《材料工程》《中国有色金属学报》《材料科学与工程学报》《兵器材料科学与工程》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划中国航空科学基金国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
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Ti_(40)Zr_(22)V_(24)Cr_(8)Mn_(6)非蒸散型吸气剂低温激活性能研究
《稀有金属》2024年第5期753-760,共8页于梦婕 熊玉华 吴华亭 刘晓鹏 
国家自然科学基金项目(51671034)资助。
使用电弧熔炼法制备了Ti_(40)Zr_(22)V_(24)Cr_(8)Mn_(6)合金,并通过机械破碎和模压成型法获得了多孔块状吸气剂。X射线衍射(XRD)结果表明Ti_(40)Zr_(22)V_(24)Cr_(8)Mn_(6)合金是由体心立方(bcc)相和C15 Laves相组成的双相结构,扫描电...
关键词：Ti基吸气剂 低温激活 原位X射线光电子能谱(XPS) 体心立方(bcc)相 C15 Laves相 
无需激活Ti基吸氢材料的制备及性能研究被引量：2
《稀有金属》2022年第12期1567-1572,共6页史志胜 熊玉华 吴华亭 杨志民 刘晓鹏 崔建东 
国家自然科学基金项目(51671034)资助。
真空工作腔内的残余氢气会对砷化镓功率放大器造成严重危害,在器件内部预置吸氢材料是解决这一问题的有效技术途径。由于砷化镓器件内部有低熔点的焊料,要求吸氢材料在使用时应避免高温激活处理程序。报道一种满足该要求的无需激活吸氢...
关键词：吸氢材料 酸洗 磁控溅射 吸氢性能 
Nd2O3掺杂的HfO2高k栅介质薄膜ALD制备及性能研究
《稀有金属》2018年第7期780-784,共5页张文强 熊玉华 魏峰 陈小强 梁晓平 赵鸿滨 
国家国际科技合作专项项目(2015DFA00730)资助
采用原子层沉积技术（ALD）制备了Nd2O3掺杂的HfO2高k栅介质薄膜（Hf-bid-O），通过x射线光电子能谱（XPS）研究了薄膜中元素的成分、结合能及化学计量比，分析了Nd2O3掺杂后薄膜中氧空位浓度和界面层成分的变化；通过测量薄膜的光致发...
关键词：ND2O3 HFO2 原子层沉积 掺杂 氧空位 高k 
Al_2O_3界面钝化与热处理对Gd_2O_3-HfO_2高k薄膜电性能影响
《稀有金属》2012年第3期415-418,共4页郭亿文 张心强 熊玉华 杜军 杨萌萌 赵鸿滨 
国家自然重点基金(50932001);国家重大科技专项02专项(2009ZX02039-005);国家自然科学基金(50932001,51102020)
采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2(GDH)高k薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层。结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善了回滞窗口和平带电压的偏移。高温N2退火对堆栈层电学性能影...
关键词：AL2O3 Gd2O3-HfO2 堆栈层 磁控溅射 快速退火 
CeO_2掺杂对HfO_2栅介质电学特性的影响被引量：6
《稀有金属》2012年第2期292-296,共5页杨萌萌 屠海令 张心强 熊玉华 王小娜 杜军 
国家重点基金(50932001);国家重大科技专项02专项(2009zx02039-005)资助项目
采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容等电学性能进行表征。结果表明,掺入CeO2后,整个体系的氧空位...
关键词：CEO2 HFO2 掺杂 氧空位 高k 
镀Al空心玻璃微球/Ni-Zn铁氧体/环氧树脂复合材料的吸波性能研究被引量：5
《兵器材料科学与工程》2010年第1期85-88,共4页谷红洁 毛昌辉 熊玉华 杨剑 
利用磁控溅射的方法对空心玻璃微球表面镀Al,研究了由镀Al空心玻璃微球/Ni-Zn铁氧体制成的复合材料在雷达波频段范围内的电磁特性,利用模型计算了所制备样品的微波反射率,并与实测反射率进行对比。结果表明,随着镀Al空心玻璃微球含量的...
关键词：吸波材料 玻璃微球 电磁特性 
空心玻璃微珠表面磁控溅射镀铝及其对人工介质材料介电性能的影响
《复合材料学报》2009年第6期61-65,共5页熊玉华 杨剑 毛昌辉 
原国防科工委资助项目(JPPT1152893)
采用直流磁控溅射法在空心玻璃微珠表面镀Al膜,利用XRD和SEM研究了镀Al微珠的相结构和形貌。将镀Al微珠、未镀Al微珠与高分子粘合剂混合制得人工介质材料,利用网络分析仪测定其在8.2 12.4 GHz频率范围的介电性能。结果表明,采用磁控溅...
关键词：镀Al空心玻璃微珠 人工介质材料 介电常数 介电损耗 
液相生长热氧化法制备SnO_2气体敏感薄膜
《电子元件与材料》2007年第5期14-17,共4页王磊 杜军 毛昌辉 杨志民 熊玉华 
北京有色金属研究总院技术创新基金资助项目(C-04-3-82248)
在不同的热氧化温度下,用液相生长热氧化法(RGTO)制备了SnO2薄膜。探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响,并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能。测试结果表明:260℃工作温度下,600℃热氧化制备的SnO2薄膜气...
关键词：电子技术 SNO2 RGTO 薄膜 气敏 
SnO_(2-x)薄膜非化学计量比对气敏性能的影响被引量：5
《材料科学与工程学报》2007年第1期22-25,51,共5页王磊 杜军 毛昌辉 杨志民 熊玉华 
院技术创新基金资助项目(C-04-3-82248)
采用反应磁控溅射法制备SnO2薄膜经常出现化学计量比的失衡问题。通过控制溅射过程中的氧分压制备不同化学计量比的SnO2-x薄膜,研究非化学计量比对薄膜结构、成分以及气敏性能的影响。XRD结果表明氧分压对材料结构和取向的影响非常显著...
关键词：SNO2薄膜 氧分压 非化学计量比 反应磁控溅射 
Pd/SnO_2/SiO_2/Si集成薄膜的结构与气敏性能被引量：2
《传感技术学报》2006年第05B期2084-2087,2091,共5页王磊 杜军 毛昌辉 杨志民 熊玉华 
采用磁控溅射技术制备Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜.研究退火处理对薄膜微观结构和表面形貌的影响,进而测试了相关的气敏性能.实验证明,经过氧化性退火处理,集成薄膜中的SiO2层厚度从3nm增长到50nm左右,形成Pd/SnO2/SiO2/Si结构,SnO2薄膜形...
关键词：SNO2 PD 薄膜 溅射 气体敏感 
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