王小娜

作品数：1被引量：6H指数：1
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
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CeO_2掺杂对HfO_2栅介质电学特性的影响被引量：6
《稀有金属》2012年第2期292-296,共5页杨萌萌 屠海令 张心强 熊玉华 王小娜 杜军 
国家重点基金(50932001);国家重大科技专项02专项(2009zx02039-005)资助项目
采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容等电学性能进行表征。结果表明,掺入CeO2后,整个体系的氧空位...
关键词：CEO2 HFO2 掺杂 氧空位 高k 
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