液相生长热氧化法制备SnO_2气体敏感薄膜  

Preparation of SnO_2 gas sensitive thin films by RGTO Method

作　　者：王磊[1] 杜军[1] 毛昌辉[1] 杨志民[1] 熊玉华[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院先进电子材料研究所,北京100088

出　　处：《电子元件与材料》2007年第5期14-17,共4页Electronic Components And Materials

基　　金：北京有色金属研究总院技术创新基金资助项目(C-04-3-82248)

摘　　要：在不同的热氧化温度下,用液相生长热氧化法(RGTO)制备了SnO2薄膜。探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响,并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能。测试结果表明:260℃工作温度下,600℃热氧化制备的SnO2薄膜气敏元件,对氢气的灵敏度最佳。在100～1 000 mg.kg–1的氢气浓度范围内,灵敏度由47递增至70。Rheotaxial growth and thermal oxidation （RGTO） method was used to deposit SnO2 thin films at different thermal oxidation temperature. The effects of thermal oxidation temperature on microstructure, surface composition and gas sensing properties of the SnO2 thin films were studied. The results show that the films oxidized at 600℃ have the best gas sensitivity on hydrogen at an operating temperature of 260℃. The gas sensitivity is increased from 47 to 70 when hydrogen gas concentration is in 100-1 000 mg ·kg^-1.

关 键 词：电子技术 SNO2 RGTO 薄膜 气敏 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]