杨志民

作品数：42被引量：185H指数：8
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：吸气剂介电性能钨底电极钛酸锶钡更多>>
发文领域：一般工业技术化学工程电气工程电子电信更多>>
发文期刊：《传感技术学报》《稀有金属》《分析试验室》《电子元件与材料》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京有色金属研究总院创新基金北京有色金属研究总院青年基金国防军工配套项目更多>>
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无需激活Ti基吸氢材料的制备及性能研究被引量：2
《稀有金属》2022年第12期1567-1572,共6页史志胜 熊玉华 吴华亭 杨志民 刘晓鹏 崔建东 
国家自然科学基金项目(51671034)资助。
真空工作腔内的残余氢气会对砷化镓功率放大器造成严重危害,在器件内部预置吸氢材料是解决这一问题的有效技术途径。由于砷化镓器件内部有低熔点的焊料,要求吸氢材料在使用时应避免高温激活处理程序。报道一种满足该要求的无需激活吸氢...
关键词：吸氢材料 酸洗 磁控溅射 吸氢性能 
纳米TiO_2电子传输层制备方法及其钙钛矿太阳能电池性能被引量：10
《稀有金属》2019年第2期164-169,共6页梁晓平 陈小强 赵鸿滨 杨志民 魏峰 屠海令 
科技部转制科研院所创新能力专项资金(201427401)资助
采用旋涂法(SC)、原子层沉积(ALD)和磁控溅射(MS)3种方法制备二氧化钛(TiO_2)致密籽晶层并生长TiO_2纳米柱层(TiO_2 nanorod layer),研究了由TiO_2致密层(TiO_2 compact layer)和TiO_2纳米柱层组成的纳米TiO_2层(nano-TiO_2 layer)的形...
关键词：钙钛矿太阳能电池 旋涂法 原子层沉积 磁控溅射 氧化钛 电子传输层 
粉末注射成形法制备ZrVMnCe-Zr吸气剂性能研究被引量：2
《稀有金属》2018年第7期730-734,共5页徐大磊 崔建东 徐瑶华 崔航 杨志民 
国家国际科技合作专项项目(2015DFA00730)资助
采用粉末注射成形工艺制备ZrVMnCe-Zr吸气剂，研究了不同的ZrVMnCe粉体粒度以及烧结保温时间对ZrVMnCe-Zr吸气材料微观形貌和吸气性能的影响，测试分析了材料的表面形貌、孔隙率、比表面积和吸气性能等特性。研究结果表明，ZrVMnCe的粉...
关键词：粉体粒度 吸气性能 吸气剂 粉末注射成形 
多孔Ti吸气材料的制备及吸氢性能研究被引量：4
《稀有金属》2017年第10期1125-1129,共5页徐晓强 崔建东 张艳 杨志民 
国家科技部国际科技合作专项(S2015ZR1068)资助
利用粉末冶金法,以电真空Ti粉为原料,并添加造孔剂NH_4HCO_3,制备了多孔Ti吸气材料。通过扫描电镜(SEM)对吸气材料进行微观形貌观察,利用阿基米德排水法测试吸气材料的孔隙度,用动态流导法分别测试不同NH_4HCO_3添加量的吸气材料在450和...
关键词：吸气材料 造孔剂 孔隙率 吸氢性能 
(W+B_4C)/Al复合材料中子屏蔽性能的蒙特卡罗模拟被引量：1
《分析试验室》2016年第10期1190-1194,共5页王健 马书旺 杨剑 梁秋实 刘坤 杨志民 毛昌辉 
使用MCNP5程序模拟了能量为14.88 Me V的快中子在(W+B_4C)/Al和W/Al复合材料中的输运过程,并与铅硼聚乙烯、聚乙烯以及钨进行对比。计算了各屏蔽材料的中子衰减性能、中子透射能谱以及中子俘获过程中释放γ射线的透射能谱,为中子屏蔽材...
关键词：蒙特卡罗法 MCNP 中子屏蔽 (W+B4C)/Al复合材料 
射频磁控溅射WO_3薄膜电致变色性能研究被引量：6
《稀有金属》2016年第9期902-907,共6页冯志鹏 魏峰 赵鸿滨 杨志民 
国家自然科学基金项目(51202013;51477012)资助
采用射频磁控溅射技术在透明导电氧化铟锡(ITO)玻璃上沉积了不同工作压强和不同氧分压(氧氩比)条件下的WO_3薄膜并研究了其电致变色特性。采用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了所制备薄膜的成分结构和表面形貌,采用电化...
关键词：WO3薄膜 射频磁控溅射 电致变色 循环伏安 工作压强 
低熔点金属Fe对AlN-Mo复合陶瓷性能的影响被引量：1
《材料导报》2013年第8期8-10,共3页马会娜 杨志民 杜军 
以氮化铝粉、钼粉为原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了AlN-18%Mo复合陶瓷。采用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)仪、扫描电镜(Scanning electron microscope,SEM)、介电频谱(Dielectric frequencyspectrum)分析研究了低熔点金...
关键词：氮化铝 放电等离子烧结 介电性能 导电性能 
SiC单晶生长的热场模拟及其在籽晶固定方面的应用被引量：9
《稀有金属》2013年第1期76-81,共6页杨立文 李翠 蒋秉轩 杨志民 
热场模拟在物理气相输运法(PVT法)制备SiC单晶工艺的改进中起着重要的作用。实验中发现,SiC晶体生长表面可能会起伏不平,导致生长的晶体质量下降。经分析可知,籽晶固定过程中籽晶背面形成的气孔是造成晶体生长表面起伏不平的主要因素。...
关键词：物理气相输运法 SIC单晶 热场模拟 籽晶固定 
PVT法生长6H-SiC单晶中平面六方空洞缺陷研究被引量：2
《稀有金属》2012年第6期942-946,共5页李翠 杨立文 蒋秉轩 杨志民 
平面六方空洞是SiC晶体中一种典型的体缺陷,其存在严重影响了晶片的质量。因此,研究和去除平面六方空洞缺陷对提高晶片质量有重要意义。使用物理气相输运法(physical vapor transport,PVT)制备了4块6H-SiC单晶,使用光学显微镜观察了平...
关键词：PVT 6H-SiC单晶 平面六方空洞 背向分解 
Gd_2O_3-HfO_2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析被引量：1
《稀有金属》2012年第3期405-409,共5页张心强 屠海令 杜军 杨萌萌 赵鸿滨 杨志民 
国家自然科学基金重点基金(50932001);国家自然科学基金青年科学基金(51102020);国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金资助项目(11076005);国家重大科技专项02专项(2009ZX02039-005)
以Gd2O3-HfO2(GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为"cube-on-cube",GDH薄膜与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Ge和[110]GDH∥[110]Ge。通过反射式高...
关键词：GD2O3 HFO2 Ge 外延 激光脉冲沉积 高k 
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