SIC单晶

作品数：83被引量：181H指数：9
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高温溶液法生长4H–SiC单晶的助溶剂研究进展
《硅酸盐学报》2024年第7期2425-2441,共17页丁祥 钱昊 梁刚强 陈雅薇 刘源 
北京市科技计划项目(Z231100002723001);安徽省高等学校自然科学研究项目(2023AH051096)。
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅在化学性能上相对稳定,而且具有一系列突出的物理性能优势,如器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大及热导率高等,是目前相对成熟且应用最广的宽禁带材料。为满足SiC在新能源汽车、太阳能光伏及...
关键词：碳化硅 高温溶液法 助溶剂 热力学计算 
SiC单晶生长设备热场设计分析
《模具制造》2024年第7期189-191,共3页曹晓光 
在硅碳化物(SiC)单晶生长设备的热场设计中,充分考虑了温度分布、热流分布和热应力等关键因素,这对确保单晶质量、提高生长效率和延长设备寿命至关重要,热场设计涉及炉体结构、加热系统、冷却系统以及温度控制系统等多个方面,需要综合...
关键词：SIC单晶 生长设备 热场设计 
河南首块8英寸SiC单晶出炉!
《变频器世界》2024年第2期45-45,共1页
2月6日,平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶,全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。据介绍,中宜创芯是国内最大的碳化硅粉体研发、生产和销售企业,...
关键词：投资控股集团 SIC单晶 碳化硅衬底 生产和经营 合资公司 独特优势 平煤神马集团 河南省 
大尺寸碳化硅晶体生长热-质输运过程建模及数值仿真被引量：1
《人工晶体学报》2023年第4期550-561,共12页卢嘉铮 张辉 郑丽丽 马远 
碳化硅(SiC)电子器件的性能和成本受衬底质量影响,因此生长大直径高品质SiC单晶意义重大。物理气相传输(PVT)法是一种常用的生长方法,但其主要面临热场设计与气流控制问题。本工作对电阻加热PVT法生长150 mm SiC单晶完整过程开展数值仿...
关键词：SIC单晶 单晶生长 热-质输运 数学模型 电阻加热 物理气相传输 
“宽禁带半导体变流技术及其应用”专题特约主编寄语被引量：1
《电气传动》2023年第1期3-3,共1页王议锋 王懿杰 
以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料由于其宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,成为制作大功率、高频、高温及抗辐照电子器件的理想替代材料。随着SiC单晶生长技术、外延材料工艺和GaN异质结外延技术...
关键词：宽禁带半导体 临界击穿电场 宽禁带器件 外延材料 SIC单晶 抗辐照 GaN 变流技术 
SiC单晶生长初期表面台阶及微管特性
《硅酸盐学报》2022年第8期2239-2244,共6页仲光磊 胡国杰 王鹤静 谢雪健 杨祥龙 彭燕 陈秀芳 胡小波 徐现刚 
国家自然科学基金青年基金项目(52022052,51902182,62004118);山东省自然科学基金项目(ZR2019JQ01,ZR2019BEM011,ZR2019BEM030);山东省重点研发计划项目(2019JMRH0901,2019JMRH0201);山大基本业务项目(2019JCG010,2020GN080);山东大学“仲英青年学者”人才项目(彭燕)。
晶体生长初期成核阶段的籽晶表面变化对后续晶体生长质量具有重要影响。采用光学显微镜对SiC生长初期的表面和微管形貌进行观察。在8×10^(4)Pa、1800-2100℃生长条件下,籽晶表面出现了原子迁移产生的台阶。同时发现微管会严重干扰正常...
关键词：微管 碳化硅 单晶 台阶流 晶体生长 
PVT法制备SiC单晶的研究进展
《山西化工》2022年第3期40-41,71,共3页游巧 
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,具有相比于第一、二代半导体更优异的特性,在微电子、光电子等领域有着重要的应用价值。制备得到高质量、大尺寸的SiC单晶是实现其产业应用的前提。PVT法生长SiC单晶是现今的主流生长方法。总结了PVT...
关键词：PVT SIC 晶体生长 
SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续)被引量：1
《半导体技术》2022年第4期249-265,287,共18页赵正平 
进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸...
关键词：SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块 
SiC电力电子学产业化技术的创新发展被引量：2
《半导体技术》2022年第3期161-178,共18页赵正平 
进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸...
关键词：SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块 
高温溶液法生长SiC单晶的研究进展被引量：2
《人工晶体学报》2022年第1期3-20,共18页王国宾 李辉 盛达 王文军 陈小龙 
北京市科技计划项目(Z201100004020003,Z161100002116018,Z211100004821004)。
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本...
关键词：宽禁带半导体 碳化硅 高温溶液法 顶部籽晶溶液法 助熔剂 晶体生长 
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