曹铎

作品数：2被引量：4H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：石墨烯介质薄膜漂移掩膜版沟道更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征
《半导体技术》2013年第10期755-759,共5页徐大伟 程新红 曹铎 郑理 万文艳 俞跃辉 
国家重大研究计划资助的课题(2009ZX02039-006);国家自然科学基金资助项目(11175229)
采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当...
关键词：等离子体预处理 等离子体增强原子层沉积（PEALD） 氧化铪 高介电常数材 料 界面优化 
采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究被引量：4
《无机材料学报》2012年第9期956-960,共5页张有为 万里 程新红 王中健 夏超 曹铎 贾婷婷 俞跃辉 
国家自然科学基金(60807002;11175229)~~
采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3...
关键词：石墨烯 原子层沉积 AL2O3薄膜 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部