夏超

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：SOI介质薄膜金属离子注入漂移更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《无机材料学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中科院创新基金上海市自然科学基金国家部委资助项目更多>>
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采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究被引量：4
《无机材料学报》2012年第9期956-960,共5页张有为 万里 程新红 王中健 夏超 曹铎 贾婷婷 俞跃辉 
国家自然科学基金(60807002;11175229)~~
采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3...
关键词：石墨烯 原子层沉积 AL2O3薄膜 
薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制
《半导体技术》2012年第4期254-257,共4页王中健 夏超 徐大伟 程新红 宋朝瑞 俞跃辉 
国家自然科学基金资助项目(10775166;61006088);国家部委基金项目
针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 击穿电压 线性渐变掺杂 注氧键合 
基于SCR的SOI ESD保护器件研究
《功能材料与器件学报》2012年第1期17-22,共6页夏超 王中健 何大伟 徐大伟 张有为 程新红 俞跃辉 
中科院创新基金项目(No.CXJJ-10-M36);上海市自然基金(No.09ZR1437700)
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14c...
关键词：SOI ESD SCR Sentaurus 保护器件 
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