徐大伟

作品数：14被引量：44H指数：4
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：SOI介质薄膜栅极光刻胶金属更多>>
发文领域：电子电信电气工程机械工程理学更多>>
发文期刊：《哈尔滨工业大学学报》《机械设计与制造工程》《遥感学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目国家科技重大专项更多>>
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基于植被二向性反射统一模型的高分五号FAPAR遥感反演算法
《遥感学报》2023年第3期711-723,共13页田定方 杨斯棋 徐大伟 任华忠 范闻捷 刘镕源 
国家自然科学基金(编号:41971301,41701434);国家重点研发计划项目(编号:2017YFE0122400)。
植被光合有效辐射吸收比率(FAPAR)是描述植被光合作用能量交换过程的重要参数,广泛应用于植被长势监测、植被生产力估算、全球变化等研究领域。遥感是大范围获取FAPAR的唯一途径,与多光谱传感器相比,高光谱传感器能更加精确、细致地观...
关键词：光合有效辐射吸收比率 高光谱遥感 特征波段 神经网络 高分五号 
基于增材制造的六自由度串联机械臂轻量化设计被引量：6
《机械设计与制造工程》2020年第12期5-10,共6页吕鑫 杨永泰 曾文浩 徐大伟 
福建省中科院STS计划配套项目(2016T3023,2018T3020);国家重点研发计划资助项目(2016YFC1100502)。
以六自由度串联机械臂为优化设计对象,从材料轻量化和结构轻量化两个方面进行轻量化设计。首先,在极限工况下分别对以铝合金和3D打印塑胶为材料的机械臂进行探索性拓扑优化,并基于结果对比分析,选择3D打印塑胶材料作为机械臂的设计材料...
关键词：机械臂 轻量化 拓扑优化 增材制造 
带有修调的分段曲率补偿带隙基准电路被引量：4
《哈尔滨工业大学学报》2020年第4期112-118,共7页徐超 吴灯鹏 李新昌 徐大伟 俞跃辉 程新红 
国家重点研发计划(2016YFB0100700)。
为得到高精度低温度系数、高电源抑制比的基准电压,同时为了降低工艺中非理想性因素的影响,设计了一种新的带有修调的分段曲率补偿基准电路.通过利用电阻分压和工作在亚阈值区域的MOSFET的电学特性,产生正温度系数和负温度系数的电流,...
关键词：分段曲率补偿 修调 基准 温度系数 芯片级修调 
一种低掉电率的采样保持电路被引量：2
《半导体技术》2020年第3期188-194,共7页林联科 徐大伟 程新红 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100700);上海市科委项目(18511105202,17521106400)。
设计了一种低掉电率、低功耗的采样保持电路。在电路保持阶段,将采样开关偏置在深积累区以减小亚阈值区电流,此时仍有源漏耦合电流,在采样开关源漏间加入高增益运算放大器,利用放大器的失调电压进行源漏耦合漏电补偿。考虑到失调电压的...
关键词：采样保持电路 运算放大器 掉电率 导通电阻 功耗 
带有固定延迟时间的IGBT去饱和过流检测电路被引量：3
《半导体技术》2019年第1期65-72,共8页徐超 吴灯鹏 徐大伟 朱弘月 俞跃辉 程新红 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100700)
提出了一款带有固定延迟时间的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)去饱和(DESAT)过流检测电路。在IGBT去饱和过流检测电路中加入固定延时电路,当检测到过流信号后关断IGBT,防止IGBT被烧毁。同时固定延时电路开始计时,经历了固定延迟时间后,电路...
关键词：固定延迟时间 去饱和(DESAT)过流保护 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 安全性 集成度 
基于IGBT栅极米勒平台的新型电流过载检测技术被引量：7
《仪器仪表学报》2018年第9期156-162,共7页李新昌 徐大伟 朱弘月 程新红 俞跃辉 
国家重点研发计划(2016YFB0100701)项目资助
通过对基于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）栅极米勒平台的新型电流过载检测技术的研究,首先从理论上分析了感性负载功率转换电路中IGBT栅极米勒平台的形成机理,给出理想条件下米勒平台电压V（GE,MP）与集电极电流IC的关系;其次设计了IGBT...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 米勒平台 功率转换器 过载检测 
基于GaN HEMT同步整流Buck变换器研究被引量：5
《电力电子技术》2017年第9期20-23,共4页羊志强 徐大伟 李新昌 程新红 
国家重点研发计划项目(2016YFB0100700);上海市自然科学基金(16ZR1442300)~~
分析了基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)同步整流Buck变换器的各部分损耗,并推导出主要损耗的计算公式。针对GaN同步整流管的反向导通特性,分析了死区时间形成过程,设计死区时间调节电路。设计制作基于GaN HEMT和Si MOSFET 10~...
关键词：变换器 高电子迁移率晶体管 死区时间 效率 
0.13 μm CMOS Stacked-FET两级功率放大器设计被引量：2
《半导体技术》2016年第2期102-106,共5页王坤 程新红 王林军 徐大伟 张专 李新昌 
国家科技重大专项资助项目(2012ZX02503-003)
基于TSMC 0.13μm CMOS工艺设计了一款适用于无线传感网络、工作频率为300~400 MHz的两级功率放大器。功率放大器驱动级采用共源共栅结构,输出级采用了3-stack FET结构,采用线性化技术改进传统偏置电路,提高了功率放大器线性度。电源电...
关键词：CMOS 功率放大器 多管级联结构 线性化 无线传感网络 
PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征
《半导体技术》2013年第10期755-759,共5页徐大伟 程新红 曹铎 郑理 万文艳 俞跃辉 
国家重大研究计划资助的课题(2009ZX02039-006);国家自然科学基金资助项目(11175229)
采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当...
关键词：等离子体预处理 等离子体增强原子层沉积（PEALD） 氧化铪 高介电常数材 料 界面优化 
薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制
《半导体技术》2012年第4期254-257,共4页王中健 夏超 徐大伟 程新红 宋朝瑞 俞跃辉 
国家自然科学基金资助项目(10775166;61006088);国家部委基金项目
针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 击穿电压 线性渐变掺杂 注氧键合 
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