氮氧化硅

作品数：77被引量：96H指数：5
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氧化铝对无压烧结氮氧化硅微观组织的影响
《材料科学》2024年第9期1292-1298,共7页李龙涛 陈德庆 李光 银锐明 肖毅成 高震 吴镇宏 
首先以单质硅和二氧化硅在氮气氛围下,采用流延法制备出质量分数ω ≥ 90%的氮氧化硅,通过凝胶注模方式制备生胚,分别于50℃、80℃、120℃、160℃四个阶段进行脱水和初步脱脂,最终在1450℃氮气氛围常压烧结下进行氮氧化硅烧结实验,研究...
关键词：Si2N2O Al2O3 Si3N4 凝胶注模 
氢氟酸清洗晶圆表面氮氧化硅材料导致缺陷的研究
《广州化工》2023年第9期66-68,共3页唐斌 张志敏 
在晶圆制造过程发现了一种制程缺陷:晶圆表面薄膜是氮氧化硅用氢氟酸清洗后,晶圆表面经常发现圆球形状的缺陷。随着制程越来越先进,这样的异常缺陷越来越重要,会越来越引起广泛的关注及研究。本研究通过产生缺陷的原理及考察了相关清洗...
关键词：球状缺陷 清洗 氮氧化硅 原硅酸 偏硅酸 氢氟酸 
Al_(2)O_(3)-SiC-C质铁沟浇注料的研究进展
《造纸装备及材料》2022年第3期76-78,共3页崔兴志 庞元金 
Al_(2)O_(3)-SiC-C质铁沟浇注料是高炉出铁沟的内衬材料,在使用过程中会不断地受到高温铁水和炉渣的腐蚀,这种快速的温度变化对它的耐热震性和耐磨损性能要求较高。文章主要探讨了影响Al_(2)O_(3)-SiC-C质浇注料性能的因素,分别从原料...
关键词：铁沟浇注料 减水剂 SiO_(2)微粉 氮氧化硅 炭黑 物理性能 
提高损耗均匀性的氮氧化硅阵列波导光栅路由器被引量：5
《光学学报》2019年第11期282-288,共7页王书新 郎婷婷 宋广益 何建军 
国家自然科学基金（61535010,61875251）;国家863计划（2013AA014401）;浙江省基础公益研究计划项目（LGG18F050003）
通过在阵列波导的出口末端加入辅助波导,实现一种输入和输出通道数均为7(7×7),通道间隔为400GHz的氮氧化硅阵列波导光栅路由器(AWGR),以提高损耗均匀性。利用引入的辅助波导调节在输出自由传输区的像平面处的场分布,通过优化其结构参...
关键词：光学器件 波导 光栅 集成光学器件 导波应用 
表面氧含量对高纯硅粉高温氮化行为的影响被引量：1
《材料导报》2018年第16期2719-2722,共4页兰宇 李兵 周子皓 张以纯 尹传强 魏秀琴 周浪 
江西省优势科技创新团队计划专项(20113BCB24007);有色金属及特色材料加工重点实验室开放基金(12KF-20);南昌大学研究生创新专项资金立项项目(CX2016017)
研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3h,氮化产物中α-Si_3N_4含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为3.91%时,氮...
关键词：α-氮化硅 氧含量 直接氮化法 高纯硅粉 氮氧化硅 
利用SiO_2聚空心微球调控多孔Si_2N_2O陶瓷微观形貌被引量：2
《稀有金属材料与工程》2018年第S1期41-44,共4页张笑妍 霍文龙 兰天 崔杰 干科 闫姝 杨金龙 
国家自然科学基金(51572140)
以氧化硅聚空心微球(SPHMs)作为造孔剂,将其添加到氮化硅浆料中,利用高温下氮化硅与氧化硅之间的液相烧结反应生成氮氧化硅相,同时氧化硅聚空心微球中的空隙作为气孔来源以得到多孔氮氧化硅陶瓷。通过调节浆料固相含量对多孔陶瓷的微观...
关键词：聚空心微球 多孔陶瓷 氮氧化硅 凝胶注模成型 
氧化硅形态对合成氮氧化硅粉体的影响
《材料导报》2017年第18期114-118,共5页李兵 周子皓 尹传强 魏秀琴 周浪 
江西省优势科技创新团队计划专项(20113BCB24007);有色金属及特色材料加工重点实验室开放基金(12KF-20)
研究了使用SiO_2为氧源合成氮氧化硅时,SiO_2的结晶状态对氮氧化硅形貌的影响。实验使用的SiO_2分别为气相白炭黑和晶体石英粉末,硅固体为平均粒径1.15μm左右的粉末。使用X射线衍射仪对合成物进行物相分析,并用扫描电子显微镜观察其形...
关键词：氮氧化硅 晶态石英 气相白炭黑 氮氧化机制 
2种可穿戴设备
《医疗卫生装备》2017年第5期164-164,共1页张晓峰 程军 李梦姝 
1 ultra-skin电子皮肤日本东京大学的研究人员在Science Advances杂志上报道了一种超薄皮肤（ultra-skin）,如图1所示。Ultra skin电子皮肤拥有足够的柔顺性,可以经受几百次的延展和折叠,同时它的厚度仅为3μm,比人类的皮肤还要薄。这...
关键词：柔顺性 日本东京大学 可视化数据 读锁 集成数据 发光二极管 数码显示器 通信技术 氮氧化硅 聚对二甲苯 
薄膜热电偶在高温下的防氧化机理被引量：1
《材料研究学报》2017年第2期123-128,共6页王超杰 陈鹏 袁广民 王博 
中央高校基本科研业务费项目(3102015ZY08)~~
根据金属材料的高温氧化和防氧化特性,研究了不同保护膜对薄膜热电偶防氧化的机理,提出使用SiO_2、SiO_xN_y薄膜作为抗氧化的保护膜。用磁控溅射法分别制备了具有SiO_2和SiO_xN_y保护膜和无保护膜的Ni Cr-Ni Si薄膜热电偶样品,并对三种...
关键词：材料表面与界面 薄膜热电偶 高温防氧化 氮氧化硅 保护膜 
一种可集成高密度氮氧化硅介质工艺
《微电子学》2017年第1期122-125,共4页张杨波 唐昭焕 阚玲 任芳 
针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,成功开发出一种采用注入氮并氧化制作氮氧化硅介质材料的工艺;并使用该工艺研制出与36V双极工艺兼容、介...
关键词：氮氧化硅 相对介电常数 电容密度 介质 MOS电容 
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