张杨波

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：SOI材料隔离区互补双极工艺牺牲层全介质更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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集成电路温度传感器技术研究进展被引量：4
《微电子学》2017年第1期110-113,共4页任芳 徐婉静 赖凡 张杨波 王文捷 邱盛 
与传统传感器相比,集成电路温度传感器具有设计简单、集成度高、响应速度快、精度高、功耗小、体积小、成本低廉等优点,在计算机、通信、电信及工业控制等领域得到广泛的应用。介绍了集成电路温度传感器的技术现状,并以CMOS传感器为重点...
关键词：集成电路 温度传感器 CMOS工艺 精度控制 
一种可集成高密度氮氧化硅介质工艺
《微电子学》2017年第1期122-125,共4页张杨波 唐昭焕 阚玲 任芳 
针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,成功开发出一种采用注入氮并氧化制作氮氧化硅介质材料的工艺;并使用该工艺研制出与36V双极工艺兼容、介...
关键词：氮氧化硅 相对介电常数 电容密度 介质 MOS电容 
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