徐文彬

作品数：14被引量：16H指数：2
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发文领域：电子电信一般工业技术电气工程文化科学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《科技创新导报》《真空》《新课程研究（高等教育）》更多>>
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TiO_(x)薄膜阻变特性的氩等离子处理影响探讨
《科技创新导报》2021年第14期122-127,131,共7页徐文彬 任高潮 
2019年度福建省自然科学基金项目(项目编号:2019J01717)。
本文探讨了氩气等离子处理对TiO_(x)薄膜阻变性能的影响,并根据阻变性能的变化,提出了改变等离子处理条件来优化阻变性能的思路。实验显示,随着等离子处理范围的增大,阻变forming-free特征出现的可能性在增大。而处理功率增长的影响主...
关键词：等离子 阻变 TiO_(x) 无电形成 氧空位 
基于氩等离子处理的阻变氧空位调控探讨
《集美大学学报（自然科学版）》2019年第5期387-392,共6页徐文彬 任高潮 
福建省教育厅基金项目(JAT170323);福建省自然科学基金项目(2019J01717)
以氩气等离子处理为优化工艺,通过其对ZnO阻变薄膜中氧空位缺陷的影响,来改进ZnO薄膜阻变特性。等离子处理范围减小和处理时间延长有助于阻变特性的稳定,以及阻变工作电压的降低。为了降低阻变工作电压及抑制随机性,最终确定的等离子处...
关键词：氧空位 等离子 阻变 ZNO 无电形成 
氧气等离子处理对MIM结构ZrAlO薄膜电容性能的影响
《电子元件与材料》2017年第4期60-63,共4页徐文彬 任高潮 
福建省自然科学基金资助项目(No.2010J05136);福建省教育厅基金资助项目(No.JA11158)
探讨了氧气等离子处理法对基于Zr Al O薄膜的MIM结构电容电学性能的低温工艺优化。Zr Al O薄膜用射频磁控溅射法制得,之后在不改变真空条件的情况下进行Zr Al O薄膜的氧气等离子处理。氧空位是影响薄膜电容性能的主要因素,通过改变氧气...
关键词：MIM电容 氧空位 ZrAlO 等离子 溅射 漏电流 
氧空位对ZrSiO基MIM结构电容电学性能的影响被引量：2
《集美大学学报（自然科学版）》2013年第2期157-160,共4页徐文彬 任高潮 
福建省自然科学基金资助项目(2010J05136);福建省教育厅基金资助项目(JA11158)
研究了磁控溅射法制备得到的MIM结构ZrSiO薄膜电容,ZrSiO薄膜的制备以沉积时和沉积后退火过程中的氧气流量为主要工艺参数,重点讨论了由不同工艺条件导致的不同氧空位密度对漏电特性和电容-电压非线性等电学性能的影响.
关键词：氧空位 MIM电容 ZrSiO 
TiO_2/SiO_xN_y/SiO_2层叠结构栅介质的电容-电压特性研究
《真空》2013年第1期34-36,共3页徐文彬 
福建省自然科学基金2010J05136;福建省教育厅基金JA11158资助项目
本文讨论了以射频磁控溅射为主要工艺制备的TiO2/SiOxNy/SiO2结构高k栅介质。文中重点讨论了不同成分界面SiOxNy薄膜作用下,栅介质整体电容-电压特性的异同,并论述了SiO2界面层在保证栅介质良好电学性能方面的作用。
关键词：SiOxNy TIO2 层叠介质 
一种基于叉指电极结构的新型三维电容被引量：1
《电子元件与材料》2013年第1期45-47,共3页徐文彬 
福建省自然科学基金资助项目(No.2010J05136);福建省教育厅基金资助项目(No.JA11158)
针对电容发展所面临的电容密度、绝缘强度和高频特性等方面问题,利用兼具横向、纵向电通量的叉指电极结构提出一种新型三维电容。电容测试及分析结果表明采用该设计结构能将电容最高击穿电压增大到40V,最高工作频率提升到10 GHz以上,电...
关键词：三维电容 叉指电极 绝缘强度 电容值 
应用型电子科学与技术专业人才培养方案的思考被引量：8
《新课程研究（高等教育）》2011年第4期20-21,共2页徐文彬 
集美大学教改项目“应用型电子科学技术专业人才培养方案研究”(编号:JY091331500)的阶段性成果
本文结合行业发展特点，分析了面向集成电路产业的电子科学与技术专业人才培养重点，进而从市场应用需求和学生职业生涯发展等方面出发，讨论了电子科学与技术专业的培养方案设置。
关键词：应用型 电子科学与技术 培养方案 
基于叉指结构的平面分形电容研究被引量：4
《集美大学学报（自然科学版）》2010年第5期389-393,共5页徐文彬 庄铭杰 王德苗 
国家自然科学基金资助(50172042);福建省自然科学基金资助(2009JD1292);集美大学科研启动基金资助
以基于叉指结构的平面分形电容为研究对象,电容由激光刻蚀法制得,在测得其S参数后,利用ADS仿真工具进行了一阶等效电路参数提取及分析.结果表明,随着共面叉指电极间距的相对减小,电极间的耦合增大,相应的寄生电感也增大;而分形设计可以...
关键词：集成薄膜电容 叉指电极 分形 
基于氮氧化物的高k栅介质研究现状
《科技创新导报》2010年第8期105-106,共2页徐文彬 王德苗 
集美大学预研基金4411-C60825;国家自然科学基金50172042
氮氧化物在MOS器件高k栅介质研究中得到了广泛的重视。本文从材料、工艺、性能等角度综述了目前氮氧化物的研究进展,对氮化改性应用于高k栅介质的利弊作了重点探讨。
关键词：氮氧化物 栅介质 氮化 
TiO_2/SiO_2和TiO_2/SiO_xN_y层叠结构高k栅介质比较研究被引量：1
《半导体技术》2010年第2期109-112,共4页徐文彬 王德苗 
国家自然科学基金(50172042);集美大学预研基金(4411-C60825)
以射频磁控溅射为主要工艺,制备了TiO2/SiO2和TiO2/SiOxNy两种层叠结构栅介质。对C-V特性和漏电特性的测试表明,SiO2和SiOxNy等界面层的引入有效地降低了TiO2栅介质电荷密度及漏电流,而不同层叠结构的影响主要通过界面电学性能的差异体...
关键词：栅介质 二氧化钛 层叠介质 射频磁控溅射 高介电常数 
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