基于氮氧化物的高k栅介质研究现状  

作　　者：徐文彬[1] 王德苗[2] 

机构地区：[1]集美大学信息工程学院,福建厦门361021 [2]浙江大学信电系,浙江杭州310027

出　　处：《科技创新导报》2010年第8期105-106,共2页Science and Technology Innovation Herald

基　　金：集美大学预研基金4411-C60825;国家自然科学基金50172042

摘　　要：氮氧化物在MOS器件高k栅介质研究中得到了广泛的重视。本文从材料、工艺、性能等角度综述了目前氮氧化物的研究进展,对氮化改性应用于高k栅介质的利弊作了重点探讨。

关 键 词：氮氧化物 栅介质 氮化 

分 类 号：X701[环境科学与工程—环境工程]