TiO_2/SiO_xN_y/SiO_2层叠结构栅介质的电容-电压特性研究  

Capacitance-voltage property investigation of TiO_2/SiO_xN_y/SiO_2 gate dielectric stacks

作　　者：徐文彬[1] 

机构地区：[1]集美大学信息工程学院,福建厦门361021

出　　处：《真空》2013年第1期34-36,共3页Vacuum

基　　金：福建省自然科学基金2010J05136;福建省教育厅基金JA11158资助项目

摘　　要：本文讨论了以射频磁控溅射为主要工艺制备的TiO2/SiOxNy/SiO2结构高k栅介质。文中重点讨论了不同成分界面SiOxNy薄膜作用下,栅介质整体电容-电压特性的异同,并论述了SiO2界面层在保证栅介质良好电学性能方面的作用。This paper deals with the TiO2/SiOxNy/SiO2 high-k gate dielectric stacks fabricated by RF magnetron sputtering. The different dielectric capacitance-voltage properties resulted from different SiOxNy interface layer were focused on, and the important role of SiO2 interface layer for the guarantee of good electrical property was also discussed.

关 键 词：SiOxNy TIO2 层叠介质 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]