多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟  

Technology Design and Computer Simulation of Polysilicon Emitter Bipolar Transistors

作　　者：刘其贵[1] 吴金[1] 郑娥[2] 魏同立[1] 何林[2] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,南京210096 [2]信息产业部电子第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《电子器件》2002年第1期97-100,共4页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上 ,根据国内现有的双极工艺水平 ,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程 ,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图 ,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。After a brief analysis of the advantages of polysilicon emitter bipolar transistors, a new technological process for the transistors is designed in this paper according to the bipolar technology available in our country, and the layout of a minimum size transistor is represented. Finally, the frequency characteristic of the designed transistor has been simulated.

关 键 词：多晶硅 发射极 双极晶体管 工艺设计 计算机模拟 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学] TP391.9[自动化与计算机技术—计算机应用技术]