锗硅材料

作品数：13被引量：25H指数：4
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应用于锗硅材料的高效耦合光栅研究被引量：4
《激光与光电子学进展》2022年第19期210-216,共7页黄强 张意 江佩璘 余长亮 石浩天 黄楚坤 孙军强 
国家自然科学基金(61875063);湖北省重点研发计划项目(2021BAA002);邵阳市科技计划项目(2021004ZD)。
为实现单模光纤与锗硅材料器件的垂直耦合并提高耦合效率,设计了一种锗硅光栅耦合器。通过在硅衬底上增加金属反射层来提高光栅的耦合效率,并利用时域有限差分法仿真软件对锗硅光栅的刻蚀深度、刻蚀槽宽和光栅周期等结构进行了优化。然...
关键词：集成光学 锗硅材料 垂直耦合 光栅耦合器 金属反射层 
反超英特尔 IBM推出7nm芯片
《电脑迷》2015年第9期47-47,共1页无心 
IBM宣布在超密计算机芯片工艺上取得了一项重大突破。已经成功研制出了7nm芯片的可工作样品，这项技术最大的变革在于，其采用的是锗硅材料以及极紫外光刻技术（EUV）。
关键词：计算机芯片 IBM 极紫外光刻技术 英特尔 锗硅材料 
超高真空化学气相沉积外延生长锗硅材料及其应用
《电子工业专用设备》2013年第4期1-8,23,共9页赵瓛 张彬庭 
综述了硅基锗硅薄膜的外延生长技术、设备及其在光电子器件上的应用,其中着重介绍了超高真空化学气相沉积系统(UHVCVD)。目前来说,UHVCVD是产业化制备高质量锗硅材料的最佳选择。
关键词：锗硅 外延生长 超高真空化学气相沉积 
硅基高频器件与SiGe外延技术
《世界科技研究与发展》2004年第3期32-38,共7页崔继锋 叶志镇 
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延 (MBE)、超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)、常压化学气相沉积 (APCVD)、快速热化学气相沉积 (RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题 ,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进 ,最后从器件角度对...
关键词：硅基高频器件 SIGE 外延技术 常压化学气相沉积 分子束外延 锗硅材料 
UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象被引量：2
《材料科学与工程学报》2004年第2期161-163,共3页吴贵斌 崔继锋 黄靖云 叶志镇 
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的...
关键词：超高真空化学气相沉积法 锗硅合金 偏析现象 二次离子质谱仪 X射线光电子谱 
Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的生长及热稳定性研究被引量：3
《微电子学》2002年第2期120-123,共4页李竞春 杨沛峰 杨谟华 何林 李开成 谭开州 张静 
模拟集成电路国家重点实验室资助项目 (99Js0 95 .1)
利用分子束外延 ( MBE)技术生长了 Ge组份为 0 .1～ 0 .46的 Si1-x Gex 外延层。X射线衍射测试表明 ,Si Ge/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面 ,其它参数也可准确控制。通过 X射线双晶衍射摇摆曲线方法 ,研究了经 70 0°C、80 0...
关键词：热稳定性 应变材料 分子束外延 X射线双晶衍射 锗硅材料 
Si/SiGe异质结双极晶体管的研制(英文)
《功能材料与器件学报》2002年第2期123-127,共5页杨沛锋 李开成 何林 刘道广 张静 李竞春 谢孟贤 杨谟华 
NationalKeyLaboratoryfunds(99Js095.1)
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响。开发了兼容...
关键词：锗硅材料 分子束外延 异质结双极晶体管 优化设计 
温度、Ge含量和掺杂浓度对Si_(1-x)Ge_x禁带宽度的影响被引量：4
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1122-1126,共5页金海岩 张利春 
提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式 ,改善了以往经验公式局限性较大的缺点 ,拓宽了公式的使用范围 .分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量 ,与实验数据进行了对比 ,两者符合得很好 .
关键词：掺杂浓度 温度 锗 锗硅材料 禁带宽度 
硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究被引量：7
《Journal of Semiconductors》1999年第1期30-34,共5页叶志镇 黄靖云 卢焕明 姜小波 汪雷 赵炳辉 阙端麟 
国家自然科学基金;国家教委"跨世纪优秀人才"培养计划资助
我们利用自行研制的ＵＨＶ／ＣＶＤ技术在直径３英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层，并进行了实时掺杂生长．采用Ｘ射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分，利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征，研究了生长特性和...
关键词：锗硅材料 硅 CVD 外延生长 
Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si超晶格光探测器与Si波导的集成探讨:光场分析
《固体电子学研究与进展》1997年第4期384-387,共4页许雪林 李娜 刘恩科 
对Ge0.4Si0.6／Si超晶格探测器光场进行了分析，并用京传播法（BPM）进行模拟。还探讨了这种探测器与Si波导的集成。在Si波导满足单模传输的条件下，推出光场在探测器中达稳态分布时的传播距离。另外还提出了这种探测器的设计长度与波...
关键词：光波导 光探测器 束传播法 锗硅材料 集成光路 
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